Intense**的QWI技術可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內產生有源區和無源區，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡（NAMs），可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災變（COMD），性能更可靠穩定。產品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列，可獨立尋址的半導體激光器陣列。

主要特點

·Series 7400

·635或655nm:<500mW;1.0W;2.0W

·670或690nm:<700mW;2.0W;4.0W

·可調功率、電流、溫度、波長

·特征：小型化

·應用包括光動力療法、老年黃斑變性、脈沖光脫毛、腕管綜合癥、塑料焊接、微焊接、低溫焊接、汽車工業