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全自動四腔超高真空雙傾角鍍膜系統 QBT-J
約瑟夫森結超高壓系統
技術參數
| QBT-J 技術參數 Technical Specifications (雙傾角約瑟夫森結制備） | |
| 超高真空腔體 UHV Chamber | 4個UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 極限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr |
| 基板加熱 Wafer Heating | RT-900℃ |
| 離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
| 電子束蒸發 Ebeam Evaporation | UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply |
| 氧化 Oxidation | Flow and Static Mode Oxidation |
| 基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可實現180度傾斜及360度旋轉，0.1度的精準控制 |
| 基板傳輸 Wafer Transfer | 高度可靠和可重復的基板傳輸能力 |
| 人機界面 HMI | 全自動化人機操作界面 |
| 安全Safety | 工業標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO |
約瑟夫森結超高壓系統：超高真空設計，真空互聯傳輸平臺，專為量子計算、超導應用而生。
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