脈沖等離子PulsPlasma?系統(tǒng)包括真空爐室，輔助加熱系統(tǒng)，保溫系統(tǒng)，溫度測(cè)量系統(tǒng)，鐘罩提升系統(tǒng)，工藝氣體循環(huán)系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的**設(shè)計(jì)，可以完全避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設(shè)計(jì)，也可以是井式爐或臥式設(shè)計(jì)。根據(jù)設(shè)備的大小，加熱控制區(qū)至少配有三組獨(dú)立控制升溫和降溫的加熱器，通過這些獨(dú)立控制的加熱器獲得**的均溫性。

工藝特點(diǎn)：

• 通過熱壁技術(shù)實(shí)現(xiàn)良好的均溫性

• 工藝氣體消耗少，沒有污染氣體

• 靈活的滲氮溫度，溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃

• 白亮層可控

• 可處理不銹鋼

• 可處理燒結(jié)鋼

• 可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝

 設(shè)備特點(diǎn)：

• 不產(chǎn)生打弧，工件表面無破壞

• 獨(dú)特的加熱和控制系統(tǒng)，至少3區(qū)獨(dú)立的加熱和冷卻區(qū)域

• 控制區(qū)溫度均勻分布

• 獨(dú)有的PulsPlasma?電源，電壓和電流近乎方波，幾微妙內(nèi)獲得

• 設(shè)定的全部脈沖電流，主動(dòng)抑制打弧監(jiān)測(cè)（開關(guān)時(shí)間< 0.1 μs）

• 電源可升級(jí)至5年質(zhì)保

• 可在低溫下對(duì)工件表面進(jìn)行等離子清洗

• 設(shè)備布局緊湊，節(jié)省空間，所有部件集成在一個(gè)基礎(chǔ)框架內(nèi)

• 模塊化設(shè)計(jì)，提供單室型、交替型和雙室型設(shè)備

• 特殊航天保溫材料，熱容量低，功率損耗低，節(jié)省重量