目前石墨烯制備方法主要包括化學氣相沉積法、溶劑剝離法、氧化還原法、微機械剝離法、外延生長法、電弧法、有機合成法、電化學法等，具體如下所述。

1．1 化學氣相沉積法(CVD)

所謂CVD法，指的是反應物質于氣態條件下產生化學反應，進而在加熱固態基體表生成固態物質，從而實現固體材料的制成的工藝技術 】。目前，以CVD法進行石墨烯制備時通過將碳氫化合物等含碳氣體通入以鎳為基片、管狀的簡易沉積爐中，通過高溫將含碳氣體

分解為碳原子使其沉積于鎳的表面，進而形成石墨烯，再通過輕微化學刻蝕來使鎳片與石墨烯薄膜分離，從而獲得石墨烯薄膜。該薄膜處于透光率為80％ 的狀態下時其導電率便高達1．1×106S／m。通過CVD法可制備出大面積高質量石墨烯，但單晶鎳價格則過于昂貴，該方法可滿足高質量、規模化石墨烯的制備要求，但工藝復雜，成本高，使得該方法的廣泛應用受到限制。

1．2 溶劑剝離法

該方法通過將少量石墨散于溶劑中，配制成低濃度分散液，而后使用超聲波破壞石墨層間存在的范德華力，經過上述操作溶劑便可成功插入石墨層并進行逐層剝離，至此石墨烯制備完成。通過運用溶劑剝離法能夠制備出優質石墨烯，且操作過程中不會損壞石墨烯的表面。這就為石墨烯廣泛應用于微電子學、多功能復合材料等諸多領域成為可能。但該方法也存在一定缺陷，比如，產率不高，這就使得其廣泛應用于商業領域受到較大限制。

1．3 氧化還原法

該方法由于制備成本較低且可進行規模化制備等優勢而成為當前制備石墨烯最受歡迎的方法。該方法還可用于穩定石墨烯懸浮液的制定，有效對石墨烯難以分散這一問題加以解決。所謂氧化一還原法，其實質為使天然石墨、強酸及強氧化性等物質產生反應并生成氧化石墨，而后經超聲分散即可完成氧化石墨烯的制備。待制備出氧化石墨烯后加入還原劑以去除，將其表面的含氧基團如羧基與環氧基還原去除，至此便成功制備出石墨烯。此方法自提出后，因其簡單易行的制

備工藝已成為實驗室中制備石墨烯最常用、最簡便的方法。但此方法也存在缺陷，比如，若七元環、五元環等拓撲存在缺陷，抑或OH基團結構存在缺陷等則會使得石墨烯部分的電學性能遭到破壞，限制其應用。

1 4 微機械剝離法

Geim等于2004年首次使用微機械剝離法從高定向熱裂解石墨中剝離出單層石墨烯，并對其二維晶體結構存在原因進行了揭示。Meyer等于2007年發現，單層石墨烯其表面存在一定高度褶皺，褶皺程度與石墨烯層數呈反比例。出現上述現象的原因可能是單層石墨烯

降低表面能而由二維形貌轉向三維形貌，由此推測，其表面褶皺極可能是二維石墨烯存在必不可缺的條件，然而二維石墨烯其表面存在的褶皺在其性能中的影響仍有待研究。通過微機械剝離法能夠制備出高質石墨烯，但也存在產率低、成本不足等缺陷，因此不符合業化、規模化的生產要求 。

1．5 電化學法

該方法通過將2個高純石墨棒平行插入含離子液體水溶液中，將電壓控制于10V一20V，半小時后陽極石墨棒便遭到腐蝕，而離子液體中的陽離子于陰極被還原并構成自由基，此類自由基與石墨烯片中存在的 電子相結合，至此離子液體功能化的石墨烯片形成，而后將電解槽中黑色沉淀物以無水乙醇加以洗滌，并于60攝氏度下干燥2個小時便可獲得石墨烯，但此方法制備所得的石墨烯其片層較單原子層厚度更大。

1．6 電弧法

電弧法也可用于制備石墨烯，但需保持大電流、氫氣氛圍與高電壓，使2個石墨電極盡量靠攏，當其靠攏到某種程度就會產生電弧放電。此時陰極附近可以收集到諸如CNTs、碳物質等，而石墨烯則可在反應室內壁獲得。