在電子元器件制造領域，介質漿料的分散細度直接決定產品性能。隨著5G通信設備對高頻介質基板的需求激增，很多企業在開發新型高頻介質漿料時遭遇技術瓶頸。傳統分散設備始終無法將漿料細度控制在15μm以下，嚴重影響產品的介電損耗和信號傳輸穩定性。本文將揭秘中毅三輥機如何通過創新技術攻克這一行業難題。

介質漿料是電子漿料的一種，按功能分為電阻漿料、導體漿料和介質漿料，由玻璃粉、顏料和有機載體混合而成的膏狀物。介質漿料作為多層陶瓷電容器、LTCC基板等核心元件的關鍵材料，其分散質量直接影響：

① 高頻介電損耗（細度每降低5μm，損耗值可優化15%）

② 流延成型均勻性

③ 燒結致密化程度

傳統設備因剪切力不足、溫升過高等問題，在50μm初始細度的基礎上始終無法突破15μm技術紅線。

山東某高端電子材料企業在研發高性能介質漿料過程中，面臨關鍵性技術挑戰——需將漿料粒徑嚴格控制在15μm以下技術指標。傳統分散設備因剪切力不足和溫控精度有限，多次工藝驗證均未能突破這一技術瓶頸。

針對這一難題，我們使用ZYTR-80E Plus 三輥研磨機來分散介質漿料。該設備通過三組高精度氧化鋯輥筒的轉速差（1：3：9）和微米級間隙控制（精度：1μm），產生可控的層流剪切場，實現團聚體的精準解聚和單分散體系的構建，完美保持材料的本征形貌特性。

介質漿料的分散方案  

客戶名稱：山東某電子公司

實驗材料：介質漿料

實驗設備：ZYTR-80E Plus 三輥機+刮板細度計

實驗目的：通過三輥機研磨使材料分散的更加均勻并將細度降至15μm以下

實驗步驟

1、初始檢測

取少量材料使用刮板細度計進行初始細度檢測，刮板細度計顯示50μm以下，如下圖所示：

2、三級分散工藝

使用ZYTR-80E Plus 三輥機通過三級分散工藝進行漿料的分散和均質，確保粒徑穩定控制在 15μm 以下，并顯著提升漿料的光澤度與流變性能。

① 粗輥階段：輥距50-25μm

② 二次精磨：輥距30-15μm

③ 終極均質：輥距10-5μm

三輥機運行過程中出料均勻無漏料，如下圖所示：

介質漿料研磨前后效果

3、出料檢測

取少量研磨后的材料再使用刮板細度計進行檢測，刮板細度12μm，如下圖所示：

4、結果分析

使用中毅科技的ZYTR-80E Plus 三輥機，對比刮板細度計結果可以看出：

1、細度突破：從初始50μm降至12μm，降幅達76%。

2、工藝優勢：

① 間隙直觀可量化，便于后續工藝直接轉量產，徹底解決傳統工藝"小試可行，放大失效"的行業痛點。

② 良品率大大提升。

目前，該技術突破已成功應用于：

① 5G基站介質濾波器漿料（介電常數一致性提升至±0.15）

② 毫米波雷達基板材料（介電損耗降至0.0008@28GHz）

③ 高密度集成電路封裝介質（線寬精度突破10μm級）

中毅的三輥機正持續賦能電子漿料領域，并已全面覆蓋膠粘劑、油墨涂料、電子工業、新能源、納米新材料、醫藥、化妝品等領域。現已形成從實驗室型到工業級（處理量可達450L/h）的全套解決方案，為先進電子制造提供精密分散保障。