中國粉體網訊 氮化鋁陶瓷材料以其優越的性能而受到普遍關注。20世紀80年代，部分發達國家就開始對氮化鋁陶瓷基片進行研發。其中日本對于氮化鋁陶瓷基片的研發處于世界的前列。氮化鋁陶瓷材料熱導率理論值為320W/m·K，電絕緣性能好，機械強度高，介電常數及介質損耗適中，材料熱導率受溫度影響小，材料無毒性，便于加工制造，是微電子及真空電子領域很有發展前途的一種新型導熱絕緣材料。不過，雖然氮化鋁陶瓷具有許多優異的性能，但是其力學性能較差，如其抗彎強度只有300MPa。在復雜的力學服役環境下，氮化鋁基片易發生損壞，從而對半導體器件壽命造成影響，并增加使用成本。
半導體及電子信息產業的快速發展對核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作為功率半導體器件的關鍵封裝材料，其導熱性能、機械強度、可靠性和精密程度直接決定了終端產品的性能與壽命。針對材料研發、制備工藝、檢測技術、應用場景等核心議題，中國粉體網將于2025年7月29日在江蘇無錫舉辦2025高性能陶瓷基板關鍵材料技術大會。屆時，江蘇海古德半導體科技有限公司研發工程師姜益將作題為《高強度氮化鋁陶瓷基板制備與成型工藝研究方案》的報告，報告中將介紹江蘇海古德半導體科技公司成功開發的一種可穩定制備抗彎強度≥500MPa的高可靠性氮化鋁陶瓷基板工藝，并通過晶界調控進一步突破至550MPa，滿足高功率電子器件對基板力學性能的極限需求。
專家簡介：
姜益，2018年畢業于江蘇海洋大學，從事高性能材料開發工作7年，從事高性能氮化鋁陶瓷基板開發工作3年。
參考來源：
李發，高導熱AlN陶瓷材料制造及其應用研究
張偉儒等，氮化硅：未來陶瓷基片材料的發展趨勢
（中國粉體網編輯整理/山林）
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