中國粉體網訊 石英玻璃具有高純度、高光譜透射率、低熱膨脹系數和優異的抗熱沖擊、耐腐蝕、耐深紫外輻照等優良特性，被廣泛應用于光學、航空航天、半導體等高端工業制造領域。
來源：賀利氏
石英玻璃可根據制備工藝分類，制備石英玻璃的原料主要有兩類，第一類是高純石英砂，用于電熔法和氣煉法，在超過1800℃的高溫下制備熔融石英玻璃；第二類是含硅化合物，通過化學反應制備合成石英玻璃。
石英玻璃的制備方法及性能
電熔法
電熔法是通過電加熱將坩堝內的粉末狀石英原料進行熔化，隨后經過快速冷卻的玻璃化過程形成石英玻璃，主要有電阻、電弧和中頻感應等加熱方式。
這種方法熔制的石英玻璃羥基含量低，但是由于石英砂純度不夠，所以這類石英玻璃一般含有較高的金屬雜質含量，使得其紫外透過率偏低，主要應用于電光源、冶金、化工、半導體等行業。
氣煉法
工業上氣煉法稍晚于電熔法，是利用氫氧焰將天然石英熔化，然后在石英玻璃靶面上逐漸堆積而成。氣煉法生產的熔融石英玻璃主要用于電光源、半導體工業、球形氙燈等。早期較大口徑的透明石英玻璃管和坩堝是用高純石英砂在專用設備上利用氫氧焰直接熔制。現在常用氣煉法制備石英砣，再將石英砣進行冷或熱加工制成需要的石英玻璃制品。
該工藝設備簡單，綜合能耗低，制備的熔融石英玻璃氣泡少，但是產品尺寸誤差較大，易形成不光滑的波紋狀表面。另外，采用氫氧焰制備時，氫氣分子或者是氫氣與氧氣燃燒時生成的水會分別與二氧化硅反應生成羥基，導致產品中羥基含量偏高。這類石英玻璃主要應用于半導體、電光源、化工、冶金等行業。
CVD法
CVD法原理是加熱易揮發的液態SiCl4使其氣化后，令氣態SiCl4在載料氣體(O2)的帶動下，進入氫氣和氧氣燃燒形成的氫氧焰中，在高溫下與水蒸氣反應生成非晶微粒，沉積在旋轉的沉積基底上，然后在高溫下熔融形成石英玻璃。
這類石英玻璃具有金屬雜質含量低、光學均勻性好、紫外透過率高、耐輻射等優點。但是該工藝是關于SiCl4的水解反應，故這類石英玻璃中一般含有大量羥基。
PCVD法
PCVD工藝最早是由Corning公司于20世紀60年代提出的一種使用等離子體取代氫氧焰作為制備石英玻璃的熱源的工藝。PCVD工藝使用的等離子體火焰溫度比一般火焰要高得多，其內核溫度可高達15000K，平均溫度4000~5000K，并且可根據具體的工藝要求適當地選擇工作氣體。
PCVD合成高純石英玻璃裝置示意圖
PCVD工藝熔制的高純石英玻璃硅氧網絡結構更完整，具有金屬雜質和羥基含量低、折射率均勻性高、光譜透過率高及可透過光波長范圍寬（180～3500nm）等特點，可以滿足精密光學、高端半導體等技術的性能要求，具有重要應用價值，是很多極端環境應用中理想的特種光學材料。
兩步CVD法
傳統的CVD法又稱為一步法或直接法。由于該過程中有水蒸氣參與反應，采用一步CVD法制備的石英玻璃中羥基含量普遍較高且難以控制。為了克服這一缺點，工程師們在一步CVD法的基礎上進行改良，發展出了兩步CVD法，也叫間接合成法。該方法可分為兩步，第一步是在較低的溫度下進行水解反應，此時生成的SiO2顆粒呈煙灰狀，SiO2顆粒沉積在基板上首先得到SiO2疏松體，該疏松體是一種多孔結構的無定形SiO2。第二步將制得的SiO2疏松體轉移到高溫加熱爐內進行脫羥，然后經過燒結和冷卻過程最終制得石英玻璃。
電熔法和兩步CVD法制備石英玻璃流程
盡管兩步CVD法的流程較為復雜，但是它克服了電熔法對原料純度的依賴以及一步法中羥基含量過高的缺點，為制備大尺寸低羥基石英玻璃提供了解決辦法。
熱改型法
石英玻璃熱改型爐
熱改型法首先通過將石英玻璃母材加熱軟化，然后通過槽沉、拉制等方法獲得所需要的產品。在熱改型爐中，爐體的加熱方式為電磁感應加熱。爐內感應線圈中通入的交變電流在空間中產生交變的電磁場，電磁場作用于發熱體產生電流和熱量。隨著溫度升高，石英玻璃母材發生軟化，此時通過牽引器下拉即可形成石英玻璃棒/管。通過調節爐內溫度和下拉速度，可以拉制出不同直徑的石英玻璃棒/管。電磁感應加熱爐的線圈布置和爐體結構對于爐內溫度場有很大的影響，在實際生產中需要嚴格控制爐內的溫度場來保證石英玻璃產品的質量。
參考來源：
袁晶.熱處理對Ⅳ類石英玻璃結構均勻性的影響
譚琦等.熔融石英玻璃制備工藝研究進展
劉佳銘等.石英玻璃材料制備用等離子炬研究進展
尹素萍.石英玻璃冷卻和退火過程的熱應力調控及工藝優化
（中國粉體網編輯整理/初末）
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