中國粉體網訊 近日，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目，經過8個月緊張有序地建設后，正式舉行全面封頂。
來源：今日海滄
杭州士蘭微電子股份有限公司坐落于杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州，是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業。得益于中國電子信息產業的飛速發展，士蘭微電子已成為國內規模最大的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業之一，其技術水平、營業規模、盈利能力等各項指標在國內同行中均名列前茅。
士蘭微電子建在杭州錢塘新區的集成電路芯片生產線目前實際月產出達到23萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產能中排在全球第二位。公司8英寸生產線于2017年投產，成為國內第一家擁有8英寸生產線的民營IDM產品公司，8英寸線月產能已達6萬片。2023年底，公司12吋特色工藝晶圓生產線月產能已達6萬片，先進化合物半導體制造生產線月產能已達14萬片。
來源：士蘭微電子官網
士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產，達產后年產能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產后總產能將提升至72萬片/年，成為全球規模領先的8英寸SiC功率器件產線。該項目以SiC MOSFET為核心產品，主要服務于新能源汽車主驅逆變器、光伏逆變器、智能電網等高需求領域。
士蘭集宏項目以“廈門速度”推進，從談判簽約到開工僅用55天，鋼結構首吊于1月21日完成，主廠房核心區22榀鋼桁架梁半月內全部就位。據悉，士蘭集宏項目達產后可滿足國內40%以上的車規級SiC芯片需求，并帶動上下游產業鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產化進程。此外，士蘭微電子已實現第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產，其主驅模塊已獲國內知名車企批量采購，技術實力進一步鞏固。
據士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越介紹，士蘭集宏力爭到2028年底最終形成，年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。屆時，項目可以較好地滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。據悉，項目全面達產后，預計年產值超120億元，助力廈門打造第三代半導體產業集群，并為中國在全球功率半導體競爭中搶占高地。
業界表示，士蘭集宏項目的封頂，不僅是士蘭微電子“IDM模式”的又一里程碑，更是中國半導體產業自主化的重要突破。隨著全球產業格局加速轉型，SiC芯片的戰略價值日益凸顯，士蘭微電子的布局或將為國產替代開啟新篇章。
參考來源：
今日海滄、士蘭微電子官網、半導體在線
（中國粉體網編輯整理/山林）
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