近日，中山大學發(fā)布多批政府采購意向，預算高達0.96億元，其中囊括化學機械拋光相關設備，預計采購時間為2024年12月~2025年1月。
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術被譽為是當今時代能實現(xiàn)集成電路（IC）制造中晶圓表面全局平坦化的目前唯一技術，化學機械拋光的效果直接影響到芯片最終的質量和成品率。
CMP工藝 來源：何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展
CMP工藝平坦化原理是，利用機械力作用于圓片表面，同時由研磨液中的化學物質與圓片表面材料發(fā)生化學反應來增加其研磨速率。CMP技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。
在CMP工藝中，首先讓研磨液填充在研磨墊的空隙中，圓片在研磨頭帶動下高速旋轉，與研磨墊和研磨液中的研磨顆粒發(fā)生作用，同時需要控制研磨頭下壓力等其他參數(shù)。CMP 設備主要分為兩部分，即拋光部分和清洗部分，拋光部分由4部分組成，即3個拋光轉盤和一個圓片裝卸載模塊。清洗部分負責圓片的清洗和甩干，實現(xiàn)圓片的“干進干出”。
CMP是一種集機械學、流體力學、材料化學、精細加工、控制軟件等多領城最先進技術于一體的設備，是各種集成電路生產設備中較為復雜和研制難度較大的設備之一。隨著圓片直徑的增大和工藝復雜性的不斷提高，CMP的設備價格也在逐漸增長。一般來說，用于200 mm圓片的CMP設備價格約為300 萬美元，用于300 mm圓片的CMP設備價格約為400 萬美元。
來源：華海清科官網(wǎng)
近日，中山大學發(fā)布38項儀器設備采購意向，預算總額達0.96億元，涉及微區(qū)原位場發(fā)射測量系統(tǒng)、電子束光刻機、等離子體深硅刻蝕系統(tǒng)（ICP）、手動式曝光機、共濺射磁控濺射系統(tǒng)、光芯片自動耦合升級的掃譜系統(tǒng)等，預計采購時間為2024年12月~2025年1月。其中，電子與信息工程學院進行化學機械拋光的采購，旨在采購混合集成芯片先導線的既有化學機械拋光系統(tǒng)，用于混合集成工藝中的研磨和拋光工藝，解決混合集成工藝中因局部高低不平而導致的加工精度問題，實現(xiàn)基片表面平坦化，也可以用于銅金屬以及低介電常數(shù)材料的多層布線平坦化制備工藝。
來源：儀器信息網(wǎng)
參考來源：
[1] 燕禾等，化學機械拋光技術研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
[2] 何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展
[3] 李丹，化學機械拋光（CMP）技術、設備及投資概況
[4] 華海清科官網(wǎng)、儀器信息網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）
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