中國粉體網訊 2024年11月26日，國家知識產權局信息顯示，上海新安納電子科技有限公司申請一項名為“一種碳化硅精拋液”的專利，此專利能提升拋光液的拋光質量和速率。
發明專利申請 來源：國家知識產權局
新安納：專門致力于電子級納米磨料和拋光液技術開發、生產、銷售和服務的高科技企業
上海新安納電子科技有限公司成立于2008年7月，是一家專門致力于電子級納米磨料和拋光液技術開發、生產、銷售和服務的高科技企業。
公司廠房面積為3400m2 ，其中包括萬級和局部百級的凈化室，建有先進的電子級磨料和拋光液生產線，擁有完整的磨料和拋光液制備、檢測、拋光驗證系統，按ISO9000質量體系進行管理，是目前中國技術領先的電子級膠體二氧化硅、藍寶石拋光液和硅片拋光液供應商，產品質量和技術能力得到了國內外知名公司的認可，多款產品已經成功替代美國進口，如卡博特公司(Cabot)和圣戈班公司等。
上海新安納電子科技有限公司 來源：新安納官網
公司注重新產品的開發和質量的提升，與國內外著名研究機構、國際知名半導體公司共同成立拋光材料聯合實驗室，形成產、學、研聯盟，并承擔了國家“十一五”、“十二五”重大專項、863、973、上海市科委重點等項目，榮獲多項榮譽。
來源：新安納官網
經過十多年的發展，新安納公司實現了從原料硅溶膠到成品拋光液的全產業鏈整合，實現國內LED市場占有率達6成以上，遙遙領先同類其它企業。
新專利助力提高拋光液拋光質量、提升拋光液拋光速率
上海新安納電子科技有限公司有著10多年的CMP化學機械拋光液行業經驗，產品包括藍寶石拋光液、碳化硅拋光液、氧化鋁拋光液、硅片拋光液、LT鉭酸鋰(LiTaO3)拋光液、襯底拋光液、LED背面減薄拋光液、金屬拋光液、不銹鋼拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液等。
碳化硅(SiC)單晶材料作為第三代寬帶隙半導體材料的代表，由于其具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢，彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
來源：新安納官網
公司此次發明公開的碳化硅精拋液相關專利，包括有研磨劑顆粒、雙氧水、催化劑、催化劑助劑、分散劑、pH調節劑，余量為去離子水，研磨劑顆粒包括有氧化硅顆粒，催化劑包括有鎢酸鹽。此發明的碳化硅拋光液，充分發揮了催化劑‑雙氧水兩者對碳化硅拋光高效的特性，相比于單純的只含有雙氧水的拋光液，擁有更高的氧化性。通過選擇合理的磨料顆粒和氧化試劑并進行合理組合，使得拋光液的拋光質量、拋光速率亦獲得很大提升，尤其適用于難加工的含硅表面的超精密光學器件或半導體功率器件的表面拋光，是理想的半導體化合物晶圓制造的亞納米級光潔度的碳化硅拋光液材料。
參考來源：
[1] 金融界
[2] 國家知識產權局
[3] 新安納官網
（中國粉體網編輯整理/山林）
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