中國粉體網訊 4月15日，據西永微電園官微消息，相關負責人表示，三安意法半導體項目已實現主體結構封頂，正在進行室內裝修和設備采購，預計今年8月將實現點亮投產，比原計劃提前2個月。
據悉，三安意法半導體項目總投資約300億元，全面整合了8英寸車規級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發制造，致力于建設技術先進的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠。
此前消息顯示，該項目包括一家車規級功率芯片制造企業，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。其中，車規級功率芯片制造企業，由國內化合物半導體龍頭企業三安光電和國際半導體巨頭意法半導體合資設立，規劃總投資約32億美元，達產后，每年能生產48萬片8英寸碳化硅車規級MOSFET功率芯片，主要應用在新能源汽車主驅逆變、充電樁和車載充電器上。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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