中國粉體網訊 當前，從光伏到新能源汽車，碳化硅下游市場需求旺盛，特別是隨著電動汽車和新能源需求的持續增長，對SiC材料的需求呈現出井噴式增長的態勢。隨著SiC熱度高漲，SiC產業6英寸向8英寸轉型趨勢加速，國際方面8英寸晶圓制造已邁向量產前夕，國內廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業鏈條進一步完善成熟。
碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節，其中制備重難點主要是晶體生長和切割研磨拋光環節，是整個襯底生產環節中的重點與難點，成為限制碳化硅良率與產能提升的瓶頸，且8英寸與6英寸碳化硅晶圓的制造工藝有很大差別，也更為復雜。
縱觀國際廠商，海外大廠Wolfspeed、英飛凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產時間集中于2024年下半年至2026年期間。3月，Wolfspeed碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂；三菱電機預計今年4月將在日本開建新的8英寸SiC工廠，并計劃2026年投入運營；4月，韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導體生產設施，最快將于明年下半年開始。
回看國內廠商，在量產時間上與國際大廠仍然存在一定時間差，但國內廠商正向8英寸時代“進攻”。天科合達北京基地正在招標8英寸襯底量產線設備，包含加工產線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設備等產品。表明天科合達將進一步布局8英寸量產產能；天岳先進用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底是業內首創，據該公司消息，其已在8英寸碳化硅襯底上具備量產能力；爍科晶體實現了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產N型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一步。
此外，還有許多國內企業如湖南三安、南砂晶圓、晶盛機電、合盛硅業等在8英寸SiC襯底、設備等領域取得進展突破。同光股份、乾晶半導體、超芯星、粵海金、東尼電子、天成半導體等廠商也已經涉足8英寸SiC襯底，未來，有望誕生更多8英寸襯底材料、設備等方面的先進技術，推動國產化進程。
2024年4月25日，中國粉體網將在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導體行業用陶瓷材料技術研討會暨第三代半導體SiC晶體生長技術交流會”，屆時，山西爍科晶體有限公司總經理助理馬康夫將帶來《8英寸SiC單晶襯底發展淺析》的報告，馬康夫將綜述國內外8英寸碳化硅的發展現狀，并簡析8英寸碳化硅單晶襯底制備的技術難點。最后簡述山西爍科晶體有限公司8英寸碳化硅襯底的技術現狀，并對碳化硅產業的發展進行展望。
個人簡介
馬康夫，博士，高級工程師，現任中電科半導體材料有限公司SiC材料技術專家，山西爍科晶體有限公司總經理助理。從事SiC材料研發多年，承擔及參與省部級項目10余項。獲山西省“三晉英才-青年優秀人才”稱號，獲中國電子科技集團公司科技進步一等獎1項，三等獎1項。在國內外發表相關研究論文10余篇，申請專利10余項。
來源：
全球半導體觀察：SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產前夕，國內廠商風口狂追
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（中國粉體網編輯整理/空青）
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