中國粉體網訊 近年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合，且有助于電力電子系統的效率和功率密度的提升，憑借其卓越性能而被不斷應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域。
碳化硅市場的競爭已席卷全球，而中國龐大的市場是兵家必爭之地。近幾年，隨著光伏、新能源汽車的發展，中國在整個新能源產業中占據著舉足輕重的地位，而國產碳化硅也逐漸走進國際客戶的視野。
中電化合物&Power Master
2023年6月15日，中電化合物與韓國Power Master公司簽署長期供應SiC材料的協議，包括8英寸。中電化合物董事潘堯波表示，2023年8月份第一批8英寸碳化硅外延片將會向客戶交貨。
中電化合物目前碳化硅年產能2萬片，公司預計未來3年碳化硅年產能將達到8萬片。
三安光電&STMicroelectronics
2023年6月7日，三安光電公告宣布，公司全資子公司湖南三安與STMicroelectronics擬在重慶共同設立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產的合資代工公司。合資公司主要從事碳化硅外延、芯片生產，項目在取得各項手續批復后開始建設，預計于2025年完成階段性建設并逐步投產，2028年達產，規劃達產后生產8英寸碳化硅晶圓10000片/周。
同時，三安光電擬在重慶設立8英寸碳化硅襯底工廠，以滿足合資工廠的襯底需求，并與其簽訂長期供應協議。達產后，規劃生產8英寸碳化硅襯底48萬片/年。
2023年9月6-8日，在SEMICON Taiwan 2023上，三安光電攜碳化硅全產業鏈產品亮相，除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，還首發了8英寸SiC襯底。
三安光電8英寸碳化硅襯底（來源：三安光電）
天科合達&Infineon
2023年5月3日，Infineon宣布與中國碳化硅供應商天科合達簽訂了一份長期協議，天科合達將為Infineon供應用于制造碳化硅半導體產品的高質量并且有競爭力的8英寸米碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到Infineon長期需求量的兩位數份額。根據該協議，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料的供應，未來天科合達也將提供8英寸直徑碳化硅材料。
天科合達8英寸碳化硅襯底（來源：天科合達）
天科合達2022年11月發布了8英寸導電型SiC襯底，目前已實現小批量供貨。計劃到2024年底，形成中批量供貨，并在2025年Q3形成穩定的批量供貨。
天岳先進&Infineon
2023年5月3日，Infineon宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議，天岳先進將為德國半導體制造商Infineon供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到Infineon長期需求量的兩位數份額。Infineon還表示未來天岳先進也會助力公司往8英寸直徑碳化硅晶圓的過渡。
天岳先進自2020年便啟動了8英寸SiC襯底的研發，并在ICSCRM 2022上宣布成功研發了8英寸SiC襯底。該公司通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸SiC晶體，屬于業內首創。目前天岳先進8英寸SiC襯底上已經具備量產能力，已實現了小批量銷售。
在2023年9月19日，第十二屆中國知識產權年會上，天岳先進董事長宗艷民作為開幕式主旨演講嘉賓參加本次大會。宗艷民表示，未來，中國制造的碳化硅半導體材料，將繼續走出國門，影響世界，成為“中國制造”在國際市場的一張亮麗名片。
天岳先進&Bosch
2023年4月27日，天岳先進發布2022年年度報告，年報披露，2022年公司繼續秉持“先進品質持續”的經營理念，推動碳化硅材料應用與全球汽車電子知名企業博世集團簽署長期協議，公司加入博世集團的碳化硅襯底片供應商行列，以支持下游車企對高功率設備不斷增長的需求。
（中國粉體網編輯整理/長安）
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