中國粉體網訊 近日，湖南德智新材料有限公司（以下簡稱“德智新材”）宣布完成數億元人民幣的戰略融資。此次融資主要用于德智新材株洲、無錫兩地產能擴建與研發投入，通過強有力的產業支持及資本背書，助力國產替代。
據企查查APP顯示，2021年9月，湖南德智新材料有限公司（以下簡稱：德智新材）新增華為關聯公司深圳哈勃科技投資合伙企業（有限合伙）為股東，同時公司注冊資本由1471.98萬元人民幣增加至1766.38萬元人民幣，增幅為20%。
時隔一年，德智新材再次宣布完成融資。
德智新材是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發、生產和銷售的高新技術企業。公司致力于高制程半導體生產關鍵耗材的生產，擁有國內領先的技術、設備和高水平研發團隊，是國內頭部的SiC涂層石墨基座、SiC蝕刻環供應商。
SiC涂層石墨盤穩定性要求高，其可靠性直接影響晶圓外延生長的一致性和良率。由于技術壁壘極高，該產品長期被美、日、德等國家所壟斷。2020年，德智新材自主設計的國內最大化學氣相沉積設備正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實現產業化，成為國內半導體行業突破國外技術壟斷的關鍵產品之一。
蝕刻環是半導體蝕刻工藝的重要耗材。高制程工藝由于離子能量大，對蝕刻環的要求也更高，SiC蝕刻環由于壽命和穩定性遠超傳統的石英蝕刻環，是這一環節必不可少的核心耗材。但是SiC蝕刻環對材料純度要求極高，過去完全被少數海外巨頭壟斷。德智新材采用自主研發的CVD設備生長SiC本體，再進行精密加工成形，突破了這一技術難關。目前，德智新材半導體用SiC蝕刻環項目已率先在國內實現了量產交付。
產能方面，德智新材半導體用碳化硅蝕刻環項目于今年6月完成了主體工程建設，并預計在明年初投產。該項目總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。
從行業發展趨勢來看，SiC涂層材料性質穩定、且耐高溫和腐蝕，在半導體耗材領域應用廣泛，未來50%以上耗材會應用SiC涂層。隨著國內先進制程的快速迭代和突圍，SiC涂層石墨基座以及SiC蝕刻環等關鍵耗材的市場空間還將不斷增長。
半導體設備零部件及關鍵耗材供應鏈不完善是中國半導體產業屢遭“卡脖子”重要原因。近幾年國內本土半導體設備發展迅速，對上游供應鏈的安全和穩定提出了新的要求。作為半導體加工環節的關鍵耗材提供商，德智新材潛心研究，在技術上率先實現國產突破，成功進入國內半導體行業龍頭的供應商名錄。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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