中國粉體網訊 9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創新中心主辦的 第三代半導體產業創新發展大會在江寧開發區舉行。10個總投資額超百億元產業項目在大會上簽約，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。
會上，多個超百億元產業項目簽約，國家第三代半導體技術創新中心（南京）集中發布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。
此次集中簽約的項目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產業鏈布局，包括三晶第三代半導體精密裝備及材料產業化項目等。
會上，國家第三代半導體技術創新中心（南京）平臺成果發布，涉及SiC MOSFET、功率模塊等關鍵技術。據悉，該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產品”和“面向智能電網和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產品方向，從碳化硅電力電子的基礎理論、材料生長、器件制備、系統應用等四個方面，聯合生態伙伴共同攻關。
當前，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目已經竣工投產，隨著一期項目投運，二期項目的建設也排上日程，媒體報道二期項目將于2024年開建，規劃年產20萬片8英寸圓片。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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