中國粉體網訊 4月7日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。
汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會
有行業專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經記者，功率半導體，包括IGBT、碳化硅（SiC）功率半導體；業內共識是，20萬元以內的電動車用IGBT，20萬元以上的電動車用碳化硅功率半導體；碳化硅功率半導體損耗小、耐高壓、耐高溫，是功率半導體的未來發展方向之一。
郭宇輝說，目前汽車業仍結構性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產能，預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
今年，奇瑞汽車在功率半導體方面，會盡力保障供應鏈安全，國產化是解決缺芯風險的辦法之一。郭宇輝說，目前，國內的碳化硅供應商，還沒有大規模供應車規產品。加工硅要1500°C，加工碳化硅要2500°C；硅基襯底制作時間是兩三天，碳化硅襯底制作時間是兩三周。碳化硅器件的工藝要求高，所以成本約是硅基器件的數倍。現在，碳化硅功率半導體的生產工藝還不夠成熟，良率不是很高，成本較高，未來成本一定要降下來。
作為國內主要的碳化硅供應商之一，三安半導體投資160億元的長沙碳化硅全產業鏈工廠，2021年6月一期工程投產，6英寸碳化硅晶圓產能爬坡至15000片/月，二期工程預計2023年完工，達產后年產能50萬片6英寸碳化硅晶圓。三安半導體銷售副總經理張真榕向第一財經記者表示，三安將抓住2024年、2025年汽車業結構性缺芯的機會，加快推進國產碳化硅“上車”進程，三安用于主驅的碳化硅功率半導體有望2023年四季度正式“上車”。
國內另一家碳化硅器件提供商泰科天潤的相關負責人也說，“上車”是功率半導體企業想努力達成的目標。中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會的成立，將為車用功率半導體的國產化創造更好條件，希望同行共同努力，也希望得到整車廠更多支持。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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