中國粉體網訊 以SiC為代表的第三代半導體材料的開發與應用已寫入“十四五規劃”，國家在三代半領域事業正如火如荼地推進著。隨著航天、航空、石油勘探、核能、汽車等電力電子領域的發展，尤其是新能源汽車的快速發展，在國產替代呼聲高漲及政策的推動下，我國半導體市場持續不斷地升溫。目前，我國碳化硅半導體相關標準完善工作仍在持續推進。
近日，T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》等3項系列標準已完成征求意見稿的編制，并于2023年3月22日起開始征求意見，截止日期為2023年4月21日。據了解，該系列標準由山東大學、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導體有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、中電化合物半導體有限公司等單位聯合起草。
T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》規定了8英寸碳化硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱“碳化硅晶片”）基準標記及尺寸。適用于4H晶片，產品主要用于制作晶體管、整流器件等。該標準于2022年7月11日正式立項。
T/CASAS 026—202X《碳化硅少數載流子壽命測定 微波光電導法》規定了用微波光電導法測定碳化硅少數載流子壽命的方法。標準適用于4~12 英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片。同時也適用于少數載流子壽命為20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。該項目于2022年11月21日正式立項。
T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法》規定了電感耦合等離子體質譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。該標準適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞元素含量的測定，測定范圍為108 cm-2~1012 cm-2。適用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同時也適用于碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。該項目于2022年11月21日正式立項。
信息來源：第三代半導體技術創新戰略聯盟
（中國粉體網編輯整理/山川）
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