中國粉體網訊 希科半導體科技（蘇州）有限公司6英寸SiC外延片經過了行業權威企業歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，檢測結果顯示希科半導體科技（蘇州）有限公司利用國產襯底和國產外延設備可以生產出媲美國際大廠的SiC外延片。
圖為歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司檢測報告截圖
圖為寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室檢測報告截圖
以碳化硅為代表的第三代半導體材料是繼硅、砷化鎵之后最具行業前景的半導體材料之一。過去十年來，由碳化硅功率器件推動的電力電子系統的小型化、高效化正在引領一場全世界電力電子系統和裝置（新能源車PCU、車載充電器，充電樁、光伏和風電逆變器、儲能逆變器、特種電源、高壓和特高壓輸變電和無功補償裝置等）的深刻變革。
碳化硅半導體產業鏈主要包括碳化硅襯底、外延片、器件制造以及下游應用市場。碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應用中，寬禁帶半導體器件幾乎都做在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，所以外延的質量對器件的性能影響巨大，處在一個產業的中間環節，對產業的發展起到非常關鍵的作用。
公開資料顯示，希科半導體科技（蘇州）有限公司成立于2021年8月，是一家致力于發展第三代半導體碳化硅（SiC）材料的高科技公司。作為蘇州國家第三代半導體創新中心重點引進的合作項目，團隊擁有多年的碳化硅外延晶片開發和量產制造經驗，憑借業內最先進的外延工藝技術和最先進的測試表征設備，能夠為客戶提供滿足行業對低缺陷率和均勻性要求的6吋n型和p型摻雜外延晶片材料。
參考來源：希科半導體
（中國粉體網編輯整理/山川）
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