中國粉體網訊 近日，第十六屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會暨蘇州第三代半導體產業融合創新發展高峰論壇在蘇州工業園區盛大開幕。
大會由中國半導體行業協會主辦，中國半導體行業協會半導體分立器件分會、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）、蘇州納米科技發展有限公司、專用集成電路重點實驗室、元器件封裝技術創新中心、河北省新型半導體材料重點實驗室、河北普興電子科技股份有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所共同承辦。經前期調研論證，蘇州工業園、無錫（國家）集成電路設計中心等十家產業園區入圍了“2022年第三代半導體最具競爭力產業園區”。
第三代半導體材料是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等帶隙寬度明顯大于硅（Si，1.1~1.3 V）和砷化鎵（GaAs，1.4 V）的寬禁帶半導體材料，具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，以寬禁帶半導體材料為基礎制備的電子器件是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯網、國防軍工等產業自主創新發展和轉型升級的關鍵核心器件。
第三代半導體是全球半導體技術研究前沿和新的產業競爭焦點，也是國外對中國技術封鎖的重點領域。當前國際第三代半導體材料、器件實現了從研發到規模性量產的成功跨越，已進入產業化快速發展階段，在新能源汽車、高速列車、5G通信、光伏并網、消費類電子等多個重點應用領域實現了突破，未來 5 年將是第三代半導體產業發展的關鍵期，全球資本加速進入第三代半導體材料、器件領域，產能大幅度提升，企業并購頻發，正處于產業爆發前的“搶跑”階段。中國在市場和應用領域有戰略優勢，正在形成完善的產業鏈條，國際巨頭還未形成專利、標準和規模的完全壟斷，有機會實現核心技術突破和產業戰略引領，重塑全球半導體產業格局。
參考來源：
[1] 入圍！無錫（國家）集成電路設計中心再獲殊榮.蠡園之聲
[2] 吳玲等.第三代半導體產業發展與趨勢展望
