中國粉體網訊 隨著新能源汽車、5G、人工智能、物聯網等行業的蓬勃發展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料產業規模不斷擴大，先進陶瓷在半導體行業將迎來更大的應用市場。第一屆半導體行業用陶瓷材料技術研討會將于2022年7月13日在濟南舉辦。江蘇方達正塬電子材料科技有限公司邀請您共同出席論壇。
江蘇方達正塬電子材料科技有限公司（Foundarzy，簡稱方達正塬）是一家由南京市紫金山英才高峰計劃入選者創建的高技術企業。公司成立于2020年，主要從事氮化硅絕緣材料、覆銅基板等相關產品研發、生產、銷售和應用研究。產品廣泛應用于超高壓電網、5G/6G、穿戴式裝備、電動汽車、高鐵、飛機、雷達、航空航天、碳中和等相關設備、先進制造及大國重器之中。
公司自2021年3月投資50萬元立項研究，氮化硅陶瓷基板制備關鍵技術和裝備；組建了由院士牽頭的戰略專家委員會，成員由中國科學院、哈爾濱工業大學、南京大學、東南大學的教授/研究員組成；技術團隊構建了具有國際領先水平的氮化硅陶瓷的制造工藝流程、研發了系列關鍵裝備、各生產環節的質量監控與中間產品篩選體系，在氮化硅基板制備等方面取得重要進展，已獲得授權發明/實用新型專利10項，發表國際學術論文3篇。在審發明專利8項，實用新型專利7項。涉及到粉體攪拌、篩分、輸送、收集、平整、加溫、保溫和冷卻、粉體預處理、漿料制備、流延機、流延素坯、基板燒結、陶瓷基板、配方、燒結設備部件、在線監測、陶瓷織構化等，至今已提交發明專利6項，實用新型專利6項，正在實質性審查。
產品展示
1.氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
公司掌握了國內外企業、高等院校和研究院所的先進生產技術和研究成果，設計了國內唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產線，產品經多家用戶檢測和軍方權威機構檢測，驗證結果與國外產品相當，局部優于國外產品。
氮化硅（Si3N4）基板與BeO、Al2O3和AlN基板相比較，具有綜合性能最佳、使用壽命最長（是AlN的15~20倍）、可靠性最好的特點，詳細如下：
絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016，電阻率約是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10萬倍
導熱性強：熱導率=80-177（理論值達320），熱導率是Al2O3的3倍以上，與AlN相當，略遜于BeO
反應靈敏：介電常數=9.4，與Al2O3和AlN相當
熱穩定：熱膨脹系數=3，遠低于BeO，比AlN低，約為Al2O3的1/3
壽命長：耐熱循環次數=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低設備折舊成本
抗振動：高模量、機械強度大。
BeO屬于劇毒產品，僅用于要求特殊的航天和導彈戰斗部
Al2O3和是目前價格最便宜的基板，但是其導熱性和使用壽命遠遠不能滿足第三代半導體產業的要求。
AlN的主要問題是價格高（與Si3N4相當）但可靠性只有Si3N4的十分之一。
Si3N4基板具有向下兼容的特點，無需驗證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗證。
隨著Si3N4相基板的產量的增加和價格的下降，將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據的市場份額，
(二)新穎性、先進性和獨特性
產品屬于國家“核高基”領域的軍民兩用卡脖子產品，在細分行業處于領軍地位，市場緊缺，替代進口。
設計了國內唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產線，嚴格的預處理技術和先進的生產技術保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴格要求，晶格缺陷大大減少了，性能指標大大提升。
形成了既滿足量大面廣的民用產品的要求、還可提供高性能指標的基板和/或基片，形成高低搭配的、全方位的系列產品生產技術體系。
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