中國粉體網訊 6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破，達到32.146mm，業內領先。此外，其自主研發的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現國產替代。
據悉，科友半導體從2018年成立伊始就致力于半導體技術和產業的自主創新，目前，他們自主研發的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現國產替代。
2021年11月，哈爾濱新區報報道曾指出，科友半導體已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸襯底研制。
在產業化方面，2021年10月，科友半導體產學研聚集區項目一期在建的生產車間大樓封頂并進行二次結構砌筑。據悉，一期生產車間大樓建成后將鋪設100臺套設備。項目全部達產后，最終形成年產碳化硅襯底近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產能；PVT-SiC晶體生長成套設備年產銷200臺套。
據悉，預計科友的生產車間、辦公樓及展示廳將于今年7月份全部交工驗收，8月正式投產。
科友半導體成立于2018年，主要攻關第三代半導體材料和裝備，在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上，不斷向產業化方向邁進，目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產權體系，具備規�；a條件。
今年5月20日，科友半導體發文稱，隨著2020年開工的科友半導體產學研聚集區項目一期工程逐漸收尾完工，以科友自有技術為依托的年產10萬片第三代半導體襯底材料生產線將于今年8月投產。
科友半導體產學研聚集區項目由哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司和哈爾濱新區共同出資建設，項目占地4.5萬平方米，總投資10億元，將打造包括技術開發、裝備設計、襯底制造等在內的全產業鏈的科技成果轉化及產業化應用研究集聚區；以哈爾濱為總部，打造國家級第三代半導體裝備與材料創新中心，通過國際合作、創新引智，改善產業結構發展半導體核心材料產業。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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