中國粉體網訊 15日，據Wolfspeed發布消息，Wolfspeed位于美國紐約州莫霍克谷的全球最大的8英寸碳化硅（SiC）制造工廠將于美國東部時間4月25日下午2點迎來盛大開業。
據了解，2020年2月，該項目開工。2021年4月設備開始搬入。FAB空間458000平方英尺，其中潔凈室空間為135000平方英尺。Wolfspeed表示，在2024年，8英寸SiC晶圓工廠將規劃達產；SiC和GaN器件產品業務占比將超過材料業務占比；營收將達15億美元。
據悉，Wolfspeed這座全新的全自動化功率晶圓制造工廠同時也將滿足車規級標準。而與之相輔相成的超級材料工廠的建造擴產，正在位于公司美國北卡羅來納州達勒姆市總部開展進行。這一全新的制造工廠將顯著提升Wolfspeed SiC產能，進一步支持從Si向SiC的轉型。
目前在SiC晶圓這一塊，Wolfspeed是名副其實的世界老大。Wolfspeed（原CREE公司，Wolfspeed 為原CREE旗下專業從事碳化硅等第三代半導體襯底與器件的技術研究與生產制造的子公司，2021年整體改名為Wolfspeed）成立于1987年，是集化合物半導體材料、功率器件、微波射頻器件、LED 照明解決方案于一體的著名制造商。Wolfspeed能夠批量供應4英寸至6英寸導電型和半絕緣型碳化硅晶片，目前Wolfspeed公司的碳化硅晶片供應量位居世界第一。排在第二位的是美國II-VI 公司，其成立于 1971 年，是工程材料和光電元件的全球供應商，是世界領先的碳化硅襯底供應商，能夠提供 4 至 6 英寸導電型和半絕緣型晶片，并已成功研制 8 英寸導電型碳化硅晶片。
與硅材料相比，以碳化硅為襯底制造的半導體器件具備高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點，可廣泛用于新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等現代工業領域。隨著下游行業對半導體功率器件輕量化、高轉換效率、低發熱特性需求的持續增加，SiC在功率器件中取代Si成為行業發展的必然。這也是為什么近年來碳化硅領域投資擴產熱潮興起的原因。
參考來源：Wolfspeed、集微網
（中國粉體網編輯整理/山川）
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