中國粉體網訊 近日，據廈門火炬高技術產業開發區消息，位于高新區同翔高新城（翔安片區）的瀚天天成碳化硅產業園二期順利竣工，并于3月底進行聯合驗收，項目計劃今年二季度投產。
據了解，瀚天天成碳化硅產業園項目總投資6.3億元，一期項目已建成投產。擬建設6英寸SiC外延晶片生產線項目，建成投產后預計年產值20億元。此前，瀚天天成曾表示將首次突破碳化硅外延年出貨量10萬片大關，年底前產能將遠超國際競爭對手。
瀚天天成成立于2011年，目前可提供標準的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，應用于600V～6500V碳化硅電力電子功率器件，包括用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、結型場效應晶體管（JFET）和雙極結型晶體管（BJT）的制作。2021年3月，瀚天天成聯合電子科技大學、中國科學院相關院所、重慶偉特森電子科技有限公司，突破了碳化硅超結深槽外延關鍵制造工藝，助力國產高性能超結碳化硅器件研發。此外，2020年，瀚天天成獲華為哈勃投資入股。
碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應用中，寬禁帶半導體器件幾乎都做在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底。
碳化硅外延材料生長是是制備所需碳化硅功率器件的關鍵技術和瓶頸，許多重要器件所要求的結構必須由外延生長來完成。碳化硅器件的性能很大程度上取決于碳化硅外延結構材料的制作水平，不但要求外延材料表面形貌好、純度高、缺陷密度低，而且要求在寬范圍內能夠實現摻雜濃度的精確控制，厚度和摻雜的均勻性高。考慮到經濟效益與制造成本，目前化學氣相沉積（CVD）法成為工業化碳化硅外延生長的主要方法。
目前，在全球市場中，外延片企業主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、Wolfspeed、羅姆、三菱電機、Infineon 等。我國 SiC 外延材料研發工作始于“九五”計劃，材料生長技術及器件研究均取得較大進展。主要研究單位有中科院半導體研究所、中電集團 13所和 55 所、西安電子科技大學等，產業化公司除了瀚天天成外，還有東莞天域。
參考來源：
[1]化合物半導體市場
[2]田亮.碳化硅功率器件關鍵工藝研究
[3]半導體行業觀察.SiC整條產業鏈，華為投全了
（中國粉體網編輯整理/山川）
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