中國粉體網訊 3月7日，天岳先進在投資者互動平臺表示，目前公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等各類核心技術。其中碳化硅單晶生長設備、熱場設計制造技術等，公司已形成相關專利，具備設計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力。
來源:天岳先進招股說明書
碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質量晶體生長提供適合的熱場實現條件。
據天岳先進的招股說明書顯示，天岳先進的碳化硅單晶生長設備采用真空系統結構和材料設計，可在保持極高真空度的同時保持極低的高溫真空漏率，保證了高純碳化硅粉料和碳化硅單晶生長腔室的純度。此外，公司對設備自動化程度進行不斷提升，與晶體生長控制軟件系統結合，可以實現晶體生長前的上料、封爐自動化控制，并可實現晶體生長過程中的爐溫、真空度、氣體流量等全參數實時監控，保證了晶體生長過程的穩定性和可控性。
碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心，決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關鍵反應條件。熱場的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場內生長的晶體具有較小的原生內應力，同時具備合理可控的生長速率。公司的熱場仿真模擬團隊，利用專業碳化硅熱場仿真軟件進行熱場設計，可針對不同類型、不同尺寸的碳化硅單晶進行精確的熱場仿真、模擬和設計，從而滿足不同尺寸、不同類型晶體的生長技術需求。
參考來源：同花順金融研究中心、天岳先進招股說明書
（中國粉體網編輯整理/山川）
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