中國粉體網訊 鑒于臺基股份2020年年報和2021年半年報都提到持續跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導體技術研發和應用，有投資者提問其公司或控股公司是否有資金投入到SiC、GaN等第三代寬禁帶半導體技術的研發和應用。臺基股份回答表示，公司根據研發項目計劃安排和實際需求進行投入，公司跟蹤和研發以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導體材料和器件技術，尚未形成產品。
臺基股份主營功率半導體器件的研發、制造、銷售及服務，主要產品為大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導體模塊、固態脈沖功率開關等功率半導體器件，廣泛應用于工業電氣控制系統和工業電源設備，包括冶金鑄造、電機驅動、電機節能、大功率電源、輸變配電、軌道交通、新能源等行業和領域。
過去幾十年，“摩爾定律”一直引領著半導體產業的發展。但隨著半導體工藝演進到今天，每前進一代，工藝技術的復雜程度呈指數級上升。就半導體材料而言，隨著第一、二代半導體材料工藝已經接近物理極限，其技術研發費用劇增、制造節點的更新難度越來越大，從經濟效益來看，“摩爾定律”正在逐漸失效。半導體業界紛紛在新型材料和器件上尋求突破，TSMC、Intel和Samsung等半導體大廠開始尋找新的方法來延續高速成長，“超越摩爾定律”的時代已經到來。以新原理、新材料、新結構、新工藝為特征的“超越摩爾定律”為半導體產業發展帶來了新的機遇，而第三代半導體是“超越摩爾定律”的重要發展方向。與第一、二代半導體材料相比，以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優異等特點，更加適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導體產業發展的重要方向。
臺基股份在半年報中顯示，公司作為功率半導體細分市場的重要企業，將抓住機遇擴大晶閘管、整流管、IGBT、電力電子模塊等產品銷量和市場占用率，跟蹤和研發以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導體材料和器件技術，通過持續技術創新實現公司產業升級。
參考來源：
中國電子報、湖北臺基半導體股份有限公司2021 年半年度報告
（中國粉體網編輯整理/山川）
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