中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)日本化學工業(yè)日報報道，三菱化學與日本制鋼所合作研發(fā)的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術(shù)，經(jīng)確認結(jié)晶成長已達4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實現(xiàn)超高效率元件的關(guān)鍵材料，業(yè)界相當期待正式普及化。今后將以大型實驗設(shè)備進行反覆驗證，預(yù)計2022年初推至量產(chǎn)，可望在2030年度成長至數(shù)百億規(guī)模的大型事業(yè)。相關(guān)人員表示，原先評估量產(chǎn)要到2023年以后，因開發(fā)狀況順利且超過預(yù)期，將提前投入市場。
這項研發(fā)源自于新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)推動的「實現(xiàn)低碳社會之次世代功率電子計劃」補助事業(yè)，并在GaN的結(jié)晶成長技術(shù)上展現(xiàn)成果。實證采用2021年5月剛竣工的全球最大規(guī)模GaN基板制造實證設(shè)備，加上獨家開發(fā)的「SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP」的制造技術(shù)，得以制作出高品質(zhì)且低成本的GaN基板，并使之成長至4寸。比起試生產(chǎn)所用的設(shè)備，大型實證設(shè)備在規(guī)模上有大幅度的提升，因此可制造更大量的GaN基板。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安）
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