聞泰科技：目前公司的650V氮化鎵技術，已經通過車規級測試，碳化硅產品已交付了第一批晶圓和樣品

中國粉體網訊  聞泰科技（600745.SH）11月3日在投資者互動平臺表示，安世半導體在行業推出領先性能的第三代半導體氮化鎵功率器件 (GaN FET)，目標市場包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源，特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中，氮化鎵技術是其使用的牽引逆變器的首選技術。目前公司的650V氮化鎵（GaN）技術，已經通過車規級測試。碳化硅（SiC）產品目前已經交付了第一批晶圓和樣品。 2021年上半年，公司半導體業務研發投入3.93億元（全年規劃9.4億元），進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品、以及模擬類產品的研發投入。在化合物半導體產品方面，目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)，已通過AEQC認證測試并實現量產，碳化硅技術研發也進展順利，碳化硅二極管產品已經出樣。 詳見年報、半年報。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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