中國粉體網(wǎng)訊 2021年6月25日，國家知識產(chǎn)權(quán)局印發(fā)《關(guān)于第二十二屆中國專利獎授獎的決定》（國知發(fā)運字〔2021〕18號），公布了第二十二屆中國專利獎獲獎名單。
下面小編簡單整理一下本屆專利獎獲獎名單中關(guān)于陶瓷方面的專利。
一、獲得第二十二屆中國專利銀獎的陶瓷項目專利名單
1 陶瓷基復合材料的連接方法
該專利的專利號為ZL200410026366.2，專利權(quán)人是西安鑫垚陶瓷復合材料有限公司，其發(fā)明人為成來飛等人。
該發(fā)明首次提出一種適用于大型復雜薄壁陶瓷基復合材料構(gòu)件制造特點的新型連接方法，解決了傳統(tǒng)連接方法高溫強度大幅度下降的國際難題，使構(gòu)件制造不再受尺寸和形狀限制。西安鑫垚以該專利為核心，申請和授權(quán)發(fā)明專利14項，并形成了陶瓷基復合材料產(chǎn)品制造工藝、檢驗等規(guī)范30余項，使我國陶瓷基復合材料構(gòu)件制造技術(shù)與國際水平相當，在部分領(lǐng)域領(lǐng)先國際水平，產(chǎn)業(yè)差距逐漸縮小，有力地支撐我國重大專項建設(shè)，保障國防安全。
圖片來源：國投高新
2 氮化物熒光粉、其制備方法及包括其的發(fā)光裝置
該專利的專利號為ZL201310248660.7，專利權(quán)人是北京有色金屬研究總院、有研稀土新材料股份有限公司，其發(fā)明人為劉榮輝等人。
本發(fā)明公開了一種氮化物熒光粉、其制備方法及包括其的發(fā)光裝置。該氮化物熒光粉為CaAlSiN3結(jié)構(gòu)，按重量百分含量計包含32-48％的堿土金屬元素、9-34％的Si元素、10-25％的N元素、0.1-0.8％的O元素、13-26％的Al元素、0.2-8％的Eu元素，且氮化物熒光粉顆粒中由顆粒表面向顆粒中心方向延伸的0-50nm范圍內(nèi)任意單位體積中Al元素的重量百分含量和Si元素的重量百分含量之和與該范圍外任意單位體積中Si元素的重量百分含量之間的比值為m，m的取值范圍為：1.5≤m≤5。本發(fā)明所提供的上述氮化物熒光粉具有較高的發(fā)光效率。
3 一種Co和Al2O3復合的納米管陣列膜催化劑的制備方法及其應(yīng)用
該專利的專利號為ZL201310396098.2，專利權(quán)人是萬華化學集團股份有限公司、萬華化學（寧波）有限公司，其發(fā)明人為王磊等人。
本發(fā)明公開了一種Co和Al2O3復合的納米管陣列膜催化劑的制備方法及其應(yīng)用，所述方法包括：以Co-Al合金片為陽極，高純石墨或其它導電材料為陰極，在含尿素的電解液中恒壓陽極氧化制備得到表面生長有CoO和Al2O3復合納米管陣列膜的合金片；然后將得到的合金片破碎成合金顆粒，即為催化劑前驅(qū)體；將其用H2還原，得到孔徑均一，管壁光滑，管長可控，且孔道方向一致的Co和Al2O3復合納米管陣列膜催化劑。該新型催化劑用于3-氰基-3,5,5-三甲基環(huán)己酮（IPN）催化加氫制3-氨甲基-3,5,5-三甲基環(huán)己胺（IPDA），IPN轉(zhuǎn)化率最高可以達到100%，對IPDA選擇性最高達到98%以上。
4 一種碳化鈦強化細晶鎢材料的制備方法
該專利的專利號為ZL201610558972.1，專利權(quán)人是長沙微納坤宸新材料有限公司，其發(fā)明人為范景蓮等人。
本發(fā)明涉及一種微量納米TiC彌散強化高性能細晶鎢材料的制備方法，TiC含量為0.1~2%，利用球磨改性‑溶膠‑非均相沉淀及快速噴霧干燥獲得微量納米TiC均勻彌散分布于納米鎢粒子中的空心球殼狀微納復合粉末，其粒度為10~30μm，然后將球殼狀團聚體球磨解團聚得到納米復合粉末，提高其成型性及燒結(jié)活性，再將復合粉末成型并在1200~1690℃和1700~1900℃溫度范圍內(nèi)兩步燒結(jié)，利用真空、氬氣或H2作為保護氣氛，獲得高性能微量TiC增強細晶鎢材料。本發(fā)明制備的合金相對密度達99%以上，鎢晶粒度為1~3μm，TiC粒子0.05~0.5μm，彌散分布與晶界及晶內(nèi)，室溫抗拉強度達450~600MPa。
二、獲得第二十二屆中國專利優(yōu)秀獎的陶瓷項目專利名單
1 制備銀催化劑用氧化鋁載體的方法、由此得到的載體及其應(yīng)用
該專利的專利號為ZL201210501992.8，專利權(quán)人是中國石油化工股份有限公司、北京化工研究院，其發(fā)明人為林偉等人。
本發(fā)明涉及一種制備用于銀催化劑的載體的方法、由此制備的載體及其應(yīng)用，更具體地說本發(fā)明涉及一種制備用于乙烯氧化生產(chǎn)環(huán)氧乙烷用銀催化劑的氧化鋁載體的方法、由此制備的載體以及由該載體制得的銀催化劑，還涉及這種催化劑在乙烯氧化生產(chǎn)環(huán)氧乙烷中的用途。在本發(fā)明中，通過采用鉀熔體工藝來制備氧化鋁載體，由這些載體能夠制備出具有更高選擇性的銀催化劑。
2 一種Al2O3納米顆粒增強鋁基復合材料的制備方法
該專利的專利號為ZL201010505574.6，專利權(quán)人是江蘇大學，其發(fā)明人為趙玉濤等人。
本發(fā)明提供一種Al2O3納米顆粒增強鋁基復合材料的制備方法,屬鋁基復合材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法采用硼砂(Na2B4O7·10H2O)類硼化物和K2ZrF6類氟化物粉劑為反應(yīng)混合鹽,采用熔體直接反應(yīng)法在鋁熔體內(nèi)直接合成制備納米氧化鋁顆粒增強鋁基復合材料。該發(fā)明的優(yōu)點主要是:該反應(yīng)體系可有效控制氧化鋁顆粒的長大,使增強相尺寸控制在納米級,而且該反應(yīng)體系的合成溫度在800～850℃,克服了傳統(tǒng)方法采用氧化物制備氧化鋁顆粒增強鋁基復合材料存在的顆粒易長大、尺寸失控和反應(yīng)溫度高的缺點。另外,本反應(yīng)體系隨反應(yīng)混合鹽加入量的增加,增強顆粒的尺寸更細小、分布更均勻,顆粒與基體界面結(jié)合良好,無污染,是一種適合低溫制備高性能納米顆粒增強復合材料的有效方法。
3 氮化物發(fā)光二極管及其制作方法
該專利的專利號為ZL201310010488.1，專利權(quán)人是廈門市三安光電科技有限公司，其發(fā)明人為林文禹等人。
本發(fā)明公開了一種具電流注入調(diào)制層(currentmodulationlayer)的發(fā)光二極管之外延結(jié)構(gòu)設(shè)計，具體的說是關(guān)于導入一種高阻值(highresistivity)的材料以改變注入電流傳導路徑。其主要的結(jié)構(gòu)實施為分別在N型傳導層或P型傳導層中成長高阻值材料，借由高溫H2在反應(yīng)爐內(nèi)蝕（InSitu Etching）直至露出部分電流傳導路徑，再分別成長N型或P型傳導層于以覆蓋而得。此設(shè)計無需二次外延即可形成電流注入調(diào)制層，此法使得注入電流在N型傳導層與P型傳導層具一更佳之擴展路徑，更有效均勻擴散注入有源區(qū)層，進而增加發(fā)光效率。
圖片來源：天眼查
4 碳化硅反射鏡鏡坯制備裝置及制備方法
該專利的專利號為ZL201410604521.8，專利權(quán)人是中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，其發(fā)明人為董斌超等人。
本發(fā)明公開了一種碳化硅反射鏡坯制備裝置及制備方法，屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有技術(shù)中凝膠注模成型制備薄壁復雜形狀的碳化硅反射鏡鏡坯時，坯體內(nèi)部存在氣泡，坯體表面或內(nèi)部存在未固化漿料，導致坯體不完整的技術(shù)問題。本發(fā)明的碳化硅反射鏡鏡坯制備裝置，包括真空腔、真空計、真空泵、三叉管、充氣裝置、模具、注漿管、漿料罐、閥門操作桿、帶頸法蘭、第一平板法蘭和第二平板法蘭；漿料在真空腔內(nèi)外氣壓差的作用下通過注漿管注入模具，消除了坯體表面和內(nèi)部的氧阻聚效應(yīng)，使坯體表面光潔，無凹坑；保證了坯體的完整性和尺寸準確性。
圖片來源：道客巴巴
5 一種砂輪用棕剛玉煙塵復合基體材料、制備方法及砂輪
該專利的專利號為ZL201410634921.3，專利權(quán)人是鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司，其發(fā)明人為趙延軍等人。
本發(fā)明公開了一種砂輪用棕剛玉煙塵復合基體材料、制備方法及砂輪，該棕剛玉煙塵復合基體材料包含以下質(zhì)量百分比的組分：棕剛玉煙塵30％～60％、酚醛樹脂25％～55％、金屬粉5％～20％、硅烷偶聯(lián)劑0.2％～2％。本發(fā)明的砂輪用棕剛玉煙塵復合基體材料，基體成分中含有與磨料層成分相同或相近的酚醛樹脂和棕剛玉生產(chǎn)中的煙塵回收物，基體與磨料層之間的界面相容性好，界面結(jié)合強度高，磨料層不易脫環(huán)或掉塊；具有自消耗作用，在與工件接觸時可以在磨削力作用下像磨料層一樣脫落，不會損傷工件，而且可以提高砂輪的利用率及磨削質(zhì)量；用于酚醛樹脂結(jié)合劑砂輪，具有抗壓、減振、提高砂輪加工質(zhì)量的作用。
6 多晶硅的生產(chǎn)工藝
該專利的專利號為ZL201510550781.6，專利權(quán)人是中國化學工程第六建設(shè)有限公司，其發(fā)明人為李寧等人。
本發(fā)明公開了一種多晶硅的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：步驟一、在坩堝的表面從內(nèi)到外依次設(shè)置第一涂層、第二涂層和第三涂層，鋪設(shè)有晶體硅邊角料層；步驟二、在坩堝中盛放熔融狀態(tài)的少量多晶硅原料，控制坩堝的溫度低于晶體硅邊角料層的熔點，使得熔化后的少量多晶硅原料形成結(jié)晶保護層；步驟三、真空環(huán)境下，在坩堝中盛放待處理的多晶硅原料，置于帶有電子束發(fā)生裝置的熔化爐，采用激光輻照處理；步驟四、在真空環(huán)境下，進行高頻感應(yīng)加熱，加入造渣劑，進行等離子加熱，通入摻有水蒸汽和氫氣的氬氣，定向凝固得到目標產(chǎn)物多晶硅。本發(fā)明能夠有效降低硼、磷、金屬雜質(zhì)的含量，制備完全多晶硅，長晶錯位少、晶界適量，提高多晶硅電池的轉(zhuǎn)化率。
7 一種高可靠 X8R 型多層陶瓷電容器用介質(zhì)材料及其制備方法
該專利的專利號為ZL201510563648.4，專利權(quán)人是山東國瓷功能材料股份有限公司，其發(fā)明人為陳世純等人。
本發(fā)明公開了一種高可靠X8R型多層陶瓷電容器用介質(zhì)材料的組成及制備方法，該介質(zhì)材料制造的多層陶瓷電容器，內(nèi)電極采用鎳或鎳合金，多層陶瓷電容器符合美國ELA標準的X8R特性，并且在高溫負荷下的平均壽命在48h以上，多層陶瓷電容器可靠性優(yōu)良。
8 一種用于生產(chǎn)發(fā)泡陶瓷制品的輥道窯
該專利的專利號為ZL201811230998.9，專利權(quán)人是廣東金意陶陶瓷集團有限公司、佛山金意綠能新材科技有限公司，其發(fā)明人為趙威等人。
本發(fā)明公開了一種用于生產(chǎn)發(fā)泡陶瓷制品的輥道窯，包括窯室，所述窯室包括預熱升溫區(qū)、氧化分解區(qū)、發(fā)泡燒成區(qū)和急冷緩冷區(qū)；所述急冷緩冷區(qū)包括平行設(shè)置的至少兩組冷卻室，所述發(fā)泡燒成區(qū)與冷卻室之間通過擺渡車運輸待處理的發(fā)泡陶瓷制品；所述預熱升溫區(qū)、氧化分解區(qū)和發(fā)泡燒成區(qū)的傳輸速率高于所述急冷緩冷區(qū)的傳輸速率。本發(fā)明輥道窯在提高生產(chǎn)效率的前提下，仍能保證發(fā)泡陶瓷在急冷緩冷段有足夠的冷卻時間，熱應(yīng)力釋放完全，提高發(fā)泡陶瓷優(yōu)等率。
資料來源：第二十二屆中國專利獎授獎名單、SooPAT、國投高新、道客巴巴、中國磨料磨具網(wǎng)、X技術(shù)、飛鏢網(wǎng)、天眼查等。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）
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