中國粉體網訊 近日，武漢理工大學材料科學與工程國際化示范學院/材料復合新技術國家重點實驗室麥立強教授團隊利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學活化過程中電導的連續演化，研究并證實了新形成的氧化物與P-O基團之間的誘導電子耦合。
該團隊認為這種獨特的片上電化學微器件平臺也可以應用于其他相關領域，以了解納米尺度下能量材料的動態行為。相關成果發表在《Nano Energy》上。
該研究通過設計一種基于單個P1-Co3O4薄膜的平面電化學微器件，首次測量了重構晶格磷摻雜Co3O4的電導，建立了重構過程中摻磷Co3O4的本征電導與電化學活性之間的關系，明確了本征電導對P摻雜Co3O4催化活性的影響。
該研究還基于這種獨特的微器件平臺，通過原位I-V測量，實時監測了重構晶格磷摻雜Co3O4在OER過程中的電阻，并發現在高電位下，重構的晶格磷摻雜Co3O4比原始合成的Co3O4具有更快的電荷轉移動力學。
此外，該研究認為這種獨特的片上電化學微器件平臺也可以應用于其它相關領域，以了解納米尺度下能量材料的動態行為。
值得一提的是，原位芯片為此次Co3O4和P1-Co3O4的晶體結構的表征提供了氮化硅支撐膜。
據介紹，原位芯片的氮化硅膜最薄可至10nm，在保證超平整、超潔凈的質量要求前提下，同時具有良好的機械強度，耐高溫特性以及表面導熱性。該研究正是利用了氮化硅膜的這些優良特性，利用TEM透射電鏡對Co3O4和P1-Co3O4的晶體結構進行了表征。
據原位芯片官方消息，其自主研發的優質氮化硅薄膜窗口，為每一次實驗提供高效的觀測體驗。產品主要應用于：SEM、TEM、X-Ray 顯微鏡觀測實驗。同時，原位芯片可用于觀測液體環境的氮化硅薄膜觀測窗口，更是打破國際壟斷，成為少數擁有生產液體芯片的公司之一。原位芯片在提供標準品的同時，也提供氮化硅薄膜窗口的定制服務，助力實現更多科研可能。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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