中國粉體網訊 作為A股IGBT龍頭，斯達半導（603290）時隔三個月再度出手，擬通過非公開發行募資，再度加碼碳化硅等項目。
3月2日晚間，斯達半導披露定增預案顯示，該上市公司擬發行不超過1600萬股，募資不超35億元，用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目、補充流動資金。
重點投向碳化硅
按照發行上限測算，斯達半導實控人沈華、胡畏夫婦共計持股比例為40.49%，仍為實際控制人。
自2020年2月上市以來，斯達半導股票累積漲幅超過18倍，最新收盤價報收250.18元/股；坐上A股IGBT功率半導體龍頭位置的斯達半導，IGBT模塊作為主營業務，占比超過95%以上。
在此次募投項目中，將有近6成資金投向了高壓特色工藝功率芯片和SiC（碳化硅）芯片研發及產業化項目。
在上述項目中，斯達半導計劃通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設備，實現高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化。項目達產后，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。
作為第三代半導體代表之一，SiC的發展有助于新能源汽車核心器件的國產化，以及改善智能電網、軌道交通等基礎設施關鍵零部件嚴重依賴進口的局面。
據介紹，SiC功率器件具有降低損耗，減小模塊體積重量的特點。隨著新能源汽車市場迅速發展，SiC功率器件在高端新能源汽車控制器中大批量應用。2018年特斯拉的主逆變器開始采用SiC MOSFET方案，隨后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亞迪、雷諾等汽車生產商都宣布在其部分產品中采用采用SiC MOSFET方案，讓SiC功率器件市場前景十分廣闊。
據IHS預測，受新能源汽車行業龐大的需求驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升的影響，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規模將超過100億美元，2018-2027年的復合增速接近40%。
布局新能源汽車
2020年12月，斯達半導就發布公告稱，擬投資建設全碳化硅功率模組產業化項目，項目計劃總投資2.29億元，投資建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心，項目將按照市場需求逐步投入。
有業內人士向記者介紹，碳化硅器件在驅動電容電阻領域的生產工藝和技術已經日趨成熟，被認為是可以代替IGBT，但是成本較貴；從功率模組封裝工藝上來說，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達半導模塊封裝技術面臨新的考驗。
斯達半導指出，未來可能在碳化硅領域面臨激烈的市場競爭，雖該公司可以大批量供應汽車級IGBT模塊和SiC模塊，但是目前眾多國內企業開始介入該領域。雖然該行業的門檻較高，但部分國內競爭對手技術不斷積累，國外廠商內部整合，不斷擴大自身影響力，進一步蠶食市場資源。
中金公司研究指出，新能源車全球普及加速，為碳化硅產業落地迎機遇。目前，碳化硅行業發展的痛點在于行業發展仍屬初期，襯底材料高昂的制備成本和較低的良率帶來的高售價。但是預計隨著技術成熟及供應商產能擴張，碳化硅的成本有望實現快速下降，未來五年時間將在電控、車載充電機、DC/DC、快充樁等多個應用場景替代Si-MOSFET/Si-IGBT。
據測算，到2025年僅中國新能源車及充電樁對于SiC的產能需求超100萬片6寸晶圓，器件市場規模超過60億元，為本土企業發展提供了廣闊的成長空間。因此建議關注斯達半導、三安光電、聞泰科技、新潔能以及晶盛機電、北方華創、華峰測控。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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