中國粉體網訊 8月17日，天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目開工儀式在北京大興舉行。
據悉，第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目是天科合達自籌資金建設的用于碳化硅晶體襯底研發及生產的項目，總投資約9.5億元人民幣，總建筑面積5.5萬平方米，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線，項目計劃于2022年年初完工投產，建成后可年產碳化硅襯底12萬片。
北京天科合達半導體股份有限公司總經理楊建表示，天科合達將致力于打造全球第三代半導體碳化硅襯底材料龍頭企業，為我國第三代半導體碳化硅產業發展提供有力支撐。
（中國粉體網編輯整理/初末）
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