中國(guó)粉體網(wǎng)訊 捷捷微電(300623)2019年度業(yè)績(jī)網(wǎng)上說明會(huì)周二下午在全景網(wǎng)舉辦，公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理黃善兵表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截止至2020年4月28日，公司擁有碳化硅、氮化鎵相關(guān)實(shí)用新型專利4件，公司還有4個(gè)發(fā)明專利，1個(gè)實(shí)用新型專利尚在申請(qǐng)受理中。
此外，公司目前有少量碳化硅器件的封測(cè)，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。
公司目前有兩個(gè)團(tuán)隊(duì)，公司于2017年成立的MOSFET事業(yè)部，研發(fā)團(tuán)隊(duì)設(shè)在無(wú)錫市傳感器產(chǎn)業(yè)園，該團(tuán)隊(duì)主要研究功率MOS；上海捷捷團(tuán)隊(duì)：創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)由來自業(yè)界國(guó)際知名半導(dǎo)體公司的核心研發(fā)和管理人員組成，將堅(jiān)守品質(zhì)、持續(xù)創(chuàng)新，充分發(fā)揮技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，把低功耗、節(jié)能環(huán)保和高頻高效功率器件作為技術(shù)創(chuàng)新的突破目標(biāo)，著力攻克 MOSFET SGT 等關(guān)鍵核心技術(shù)，助力整個(gè)捷捷微電平臺(tái)的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。產(chǎn)品應(yīng)用端將努力抓住替代進(jìn)口存量市場(chǎng)，并深入 5G、汽車電子、光伏、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制和智能電子化等新需求。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
