中國粉體網訊 “歷經幾十年發展，中國已成為全球集成電路產業增速最快、市場需求最大、國際貿易最活躍的地區。產業化進程正在開始，還需不斷努力。”在近日舉行的“浙江大學硅材料國家重點實驗室——黃河水電集成電路硅材料聯合研發中心”（以下簡稱聯合研發中心）揭牌儀式上，中國科學院院士楊德仁表示，當前和今后一段時期是我國集成電路產業發展的重要戰略機遇期和攻堅期。
縱觀現狀，我國高端集成電路制造骨干企業發展迅速，但所需的集成電路產業基礎材料——電子級多晶硅和電子級特種氣體仍然依賴進口,亟待進行相關產品的研發生產補短板。針對目前半導體硅材料行業發展現狀，楊德仁在接受科技日報記者專訪時表示，我國半導體硅材料一類是用于太陽能光伏的硅材料，一類是微電子所用的硅材料。在太陽能光伏硅材料方面，我國產業技術和產業規模在國際上均處于第一梯隊的領先地位。而微電子硅材料研發生產尚處于第二梯隊狀態，與國際最好水平還有一定差距。“目前我國已完成或滿足了6英寸、5英寸及以下小尺寸集成電路硅片的產業化需求；8英寸硅片關鍵技術已經突破，目前10%—15%的集成電路用8英寸硅片實現了原產化，12英寸硅片生產技術剛剛取得突破。”楊德仁說。
中國電子材料行業協會原秘書長袁桐也認為，我國電子材料行業發展行業規模已達年產值4000億元。但目前我國電子信息新材料產業發展中存在缺少統籌規劃和支持、缺少技術領軍企業、下游需求旺盛但多數關鍵產品嚴重依賴進口、創新能力不足、高端產品自給率不高、產學研用結合不緊密、產業化能力不強等問題，攻克技術難題勢在必行。
在此形勢下，為提升我國集成電路產業創新能力，聯合研發中心應運而生，將圍繞集成電路硅材料和高純特種氣體等國家重大需求的關鍵技術開展研究，助力更好更快地推進科技創新并盡早轉化科研成果。
黃河上游水電開發有限責任公司黨委書記、董事長謝小平接受科技日報記者采訪時表示，聯合研發中心的成立，將圍繞集成電路硅材料和高純特種氣體等國家重大需求的關鍵技術開展研究，旨在通過校企合作發揮優勢互補，構建以企業為主體、產學研相結合的技術研發體系，以集成電路用半導體材料、高純半導體材料檢測技術等開發為研究方向，實現學術研究與市場應用的相互促進。
（中國粉體網編輯整理/初末）
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