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碳化硅納米材料除了具有熱傳導率高、熱穩定性強、抗氧化、耐化學腐蝕、熱膨脹系數低、熱傳導率高、化學穩定性能好、機械性能高等特點，還具有高的禁帶寬度，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，高的臨界擊穿電場和熱導率等許多優良的特性。以SiC單晶制作的電子、光電子等器件，在航空航天、雷達通訊、汽車及石油鉆探、高溫輻射環境等特殊環境下具有廣泛的應用前景。同時它的其它獨特的光、電、及優異的機械性在許多領域都有極為廣泛的和潛在的應用價值。
1 納米碳化硅的應用
1.1 納米碳化硅的機械性能及其在復合材料中的應用
碳化硅晶須具有高的強度、硬度和彈性模量，重量輕、耐熱、耐腐蝕、化學性質穩定等優良特性，目前已在眾多領域如汽車輪船、航空航天、化學化工等領域得到了很好的應用，還被譽為“晶須之王”。到目前為止，科學家已經能在微觀領域測量并計算出單根晶須的力學性質，研究表明線狀碳化硅的抗拉伸和彎曲強度要比塊狀的碳化硅陶瓷結構好很多，因此，碳化硅納米線可作為性能更優異的復合材料增強體，在增強高分子聚合物、陶瓷和金屬材料方面收效很好，具有廣闊的應用前景。
在航空航天中，直升飛機的螺旋槳還有噴氣式飛機的渦輪葉片等添加增強體后，就能更好地應對空氣阻力；碳化硅與金屬鋁復合材料，具有高的強度、韌性、耐熱和耐疲勞性，應用于汽車、火車及體育運動器材的機械部分和零部件；碳化硅應用于陶瓷復合材料可顯著地改善陶瓷原有的脆性等不足，同時也能提高它的高溫耐熱性，可作為高溫耐腐蝕化學反應釜材料等，也可用于軍事和天文科學領域，吸收雷達波，可作為火箭、導彈、飛機等的隱身結構材料。
1.2 納米碳化硅與催化劑載體
高比表面積歷來是催化劑載體要考察的重要性能之一，而高比表面積碳化硅由于材料本身具有的優異性能，使其在作為催化劑載體時，具有優于其它載體的性能。與傳統載體氧化鋁、氧化硅等相比較，SiC材料的優異性主要體現在以下幾個方面件：1）熱導率高，耐熱性強；2）化學穩定性高；3）機械強度高，不易破碎；4）熱膨脹率低。
1.3 納米碳化硅的場發射性質
SiC納米線陣列具有低的開啟電壓和閾值電壓，高的電流密度，場發射性能穩定，是一種理想的場發射陰極材料。同時，其化學性質穩定、耐高溫高壓、耐腐蝕等性能，使其在微電子器件領域的應用十分廣闊。
1.4 納米碳化硅的光電性能
碳化硅也是較早發現的發光材料之一，在低溫環境下，碳化硅能發出藍光，人們利用碳化硅的寬禁帶特點制造類藍光發光二極管。由于其間接帶隙的特點，它的藍光強度非常弱，穩定性也很差，使碳化硅的發光效率極低，從而限制了它的應用范圍。為了提高碳化硅發光效率，人們想出了很多的改進措施，其中包括制備非晶碳化硅、多孔單晶碳化硅和多孔碳化硅。
2 納米碳化硅的制備方法
2.1 形貌記憶合成法
其主要含義是起始固體反應物的宏觀結構在合成反應前后還能夠得到一定程度保持。1988年法國人Ledoux和他的同事首次提出并采用該方法制備了高比表面積碳化硅和不同結構的SiC材料。之后人們沿用這種方法，制備出了碳化硅納米線、納米管、納米球及高比表面碳化硅等。
2.2 溶膠-凝膠和碳熱還原法
溶膠-凝膠法就是用含高化學活性組分的化合物作前驅體，在液相下將這些原料均勻混合，并進行水解、縮合化學反應，在溶液中形成穩定的透明溶膠體系，溶膠經陳化膠粒間緩慢聚合，形成三維空間網絡結構的凝膠，凝膠網絡間充滿了失去流動性的溶劑，形成凝膠。凝膠經過干燥、燒結固化制備出分子乃至納米結構的材料。由于它成本低，工藝過程簡單，以及相對較低的反應溫度，成為制備碳化硅的常用方法。溶膠凝膠法過去常用于制備碳化硅粉末，碳化硅纖維和碳化硅晶須，現在也用來制備一些先進的碳化硅材料如納米線、納米棒、納米顆粒或納米晶須等。
由于溶膠凝膠過程能夠得到均勻的SiC而受到關注。在反應過程中一般采用炭黑、活性炭、碳纖維、酚醛樹脂、淀粉、蔗糖等作為碳源，以硅酸的溶膠體為硅源。也有人采用有機硅的高聚體（即在同一分子中既有碳源也有硅源）通過熱解得到碳化硅。
2.3 碳納米管限制反應
碳納米管限制反應是一種通過碳納米管與揮發性金屬氧化物、氯化物反應合成一維納米材料的方法。選擇該種方法的前提是由于碳納米管耐高溫、碳原子的蒸氣壓低，當系統中增加一種較高蒸氣壓的物質，那將可能使其分子遷移到碳納米管的周圍，附著在它的表面或擴散到其內部。由于反應被限制在碳納米管中，導致生成的碳化硅只能具有一維形態。
2.4 化學氣相沉積法
化學氣相沉積法通常是指反應物經化學反應和凝結過程，生成特定產物的方法。化學氣相沉積可以是單一化合物的熱分解，該化合物必須具備產物所需的全部元素。另外，還可以通過兩種以上物質之間的氣相反應，這種方法可以有多種組合。其優點是可以制備出純度很高的碳化硅。
2.5 弧光放電法
弧光放電法是制備納米碳化硅的最重要的方法之一。其原理是利用弧光放電可以使反應的溫度高達2000℃以上，使反應物加速合成，同時可促使催化劑和其它雜質在高溫下揮發掉，得到純度較高的納米碳化硅顆粒和碳化硅納米線。
2.6 其它方法
化學腐蝕法：化學腐蝕是把微米量級的SiC粉末放在腐蝕液中并通過光照或加熱的方式進行腐蝕而得到樣品的方法。
電化學腐蝕法：是在陽極放置要腐蝕的樣品，比如Si、SiC多晶片等，在陰極加鉬、鉑等金屬電極，再加電流，輔以光照等，對陽極樣品進行腐蝕來得到多孔納米材料。
磁控濺射法：把碳離子和硅離子濺射到二氧化硅襯底上，然后通過高溫退火處理，最后得到SiC納米顆粒。
資料來源：
和麗芳.納米碳化硅材料的制備及應用.山西大學
郭瀟瀟.碳化硅納米顆粒的制備、發光性質及相變的研究.東南大學
