中國粉體網訊 近期，北京市科技計劃課題“大面積單晶石墨烯薄膜快速制備技術研究”驗收通過專家組驗收。
石墨烯材料性質優異，可用于構筑高性能微納電子器件和柔性透明導電薄膜，同時也能作為優異的支撐、封裝和阻隔材料。大面積高質量的石墨烯薄膜是這些高端應用的材料基礎。作為制備大面積高質量石墨烯薄膜材料的首選方法，化學氣相沉積法制備的石墨烯薄膜存在疇區尺寸小、晶界和缺陷密度高、大疇區石墨烯生長速度慢、產能低等問題，嚴重制約了石墨烯薄膜的應用。
在北京市科委支持下，北京大學彭海琳教授團隊發明了“單一晶種快速生長法”和“陣列晶種同向拼接法”等多種大面積單晶石墨烯薄膜的快速制備技術，運用該技術實現了單晶石墨烯薄膜制備面積達到英寸級，生長速度0.36cm/min，并成功研發了高質量石墨烯薄膜和石墨烯大單晶晶圓的量產裝備。另外，團隊還通過發展大單晶石墨烯的骨架摻雜的生長技術獲得了高導電性和高透光性的石墨烯單晶薄膜。此外，通過對生長有石墨烯的銅箔基底直接進行選擇性刻蝕，實現了高質量石墨烯單晶支撐膜的低成本批量制備，支撐膜面積大于100mm2，并可用作原子級分辨率透射電鏡成像載網。
（中國粉體網編輯整理/平安）
