中國粉體網訊 首款全碳化硅模塊EASY1B 已經量產，2022年，碳化硅半導體材料的市場規模或將達到40億美元。
英飛凌在2016年6月上海舉辦的PCIM上展出了首款全碳化硅模塊，在2017年紐倫堡舉辦的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲，現在，英飛凌已經實現首款全碳化硅模塊EASY1B 的量產。
碳化硅具有寬能級、高擊穿電場、高熱傳導率以及高飽和電子遷移速度等獨特、優良的物理和電子特性，由碳化硅微粉制作的碳化硅半導體是新一代寬禁帶半導體，碳化硅半導體具有熱導率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優勢，是半導體領域的最佳材料。
碳化硅微粉制備功率模塊流程圖如下：
盡管英飛凌已經實現首款全碳化硅模塊EASY1B 的量產 ，但是以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料，在材料和器件制備技術方面還有很多問題，如何提高碳化硅晶片的尺寸以及碳化硅晶片量產難、制作成本高等問題都制約著碳化硅半導體的應用發展 。 不過，隨著大量資金投入相關科研項目和研究所，碳化硅半導體的應用爆發期即將來臨，根據預測，到2022年，碳化硅半導體材料的市場規模或將達到40億美元，年平均復合增長率可達45%。
碳化硅半導體行業的快速發展，對生產碳化硅粉的企業來說既是機遇也是挑戰。一方面對中小型企業來說，由于生產技術落后等因素，生產不出高品質的碳化硅微粉，就將面對市場淘汰或被吞并。另一方面可以推動資源整合，優化資源配置，使碳化硅粉市場更加有序穩定。
