日本東京工業(yè)大學(xué)教授細野秀雄與日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)（JST）組成的一個聯(lián)合研究項目，日前使用開關(guān)特性（Switching Behaviour）比非晶硅與有機半導(dǎo)體還要高10多倍的半導(dǎo)體材料，成功地開發(fā)出了可彎曲的TFT。設(shè)想在業(yè)界正在廣泛進行研發(fā)的可彎曲顯示器領(lǐng)域，應(yīng)用于開關(guān)像素的元件中。開關(guān)特性如若得到提高，就能將TFT設(shè)計得更小，就能提高TFT的驅(qū)動能力。比如，如果能縮小TFT的尺寸，就能提高液晶面板的分辨率。利用TFT電流驅(qū)動能力的提高，就更容易使有機EL面板發(fā)光。東京工業(yè)大學(xué)與JST已經(jīng)將此次的研究成果發(fā)表在11月25日出版的英國《自然》科學(xué)雜志上。
先在塑料底板上形成非結(jié)晶狀態(tài)的InGaZnO4材料，通過將其作為TFT的活性層來使用，在TFT狀態(tài)下使作為開關(guān)特性指標的載流子遷移度達到了10cm2/Vs。非晶硅的載流子遷移度為1cm2/Vs左右，很多報告稱有機半導(dǎo)體的載流子遷移度也與此差不多。
在彎曲狀態(tài)下對此次開發(fā)的TFT電氣特性進行了測定，即使彎曲到曲率半徑30mm左右，TFT仍可正常工作，而不會受到破壞。彎曲狀態(tài)下的源漏極電流盡管多少比彎曲前低一些，不過從彎曲狀態(tài)復(fù)原后，電流就會得到恢復(fù)。對于在TFT遭到破壞之前能夠彎曲多少次，計劃今后進行測試。
先在塑料底板上形成非結(jié)晶狀態(tài)的InGaZnO4材料，通過將其作為TFT的活性層來使用，在TFT狀態(tài)下使作為開關(guān)特性指標的載流子遷移度達到了10cm2/Vs。非晶硅的載流子遷移度為1cm2/Vs左右，很多報告稱有機半導(dǎo)體的載流子遷移度也與此差不多。
在彎曲狀態(tài)下對此次開發(fā)的TFT電氣特性進行了測定，即使彎曲到曲率半徑30mm左右，TFT仍可正常工作，而不會受到破壞。彎曲狀態(tài)下的源漏極電流盡管多少比彎曲前低一些，不過從彎曲狀態(tài)復(fù)原后，電流就會得到恢復(fù)。對于在TFT遭到破壞之前能夠彎曲多少次，計劃今后進行測試。
