2003年12月中旬，《先進材料》 (Adv. Mater.,15 (22) ,1525-1529 )發表了化學所有機固體院重點實驗室宋延林研究員等在有機超高密度信息存儲薄膜研究領域取得的最新研究進展。該研究成果不僅得到審稿人高度評價，還被Adv.Mater.主編Esther Levy博士邀請為其姊妹期刊Adv. Functional Mater.撰寫詳細研究論文。而此前他們在《納米技術》(Nanotechnology,13,6,733)發表的研究結果，得到了美國《技術研究新聞》(Technology Research News,Feb.26,2003)的關注和報道。
當今信息技術的飛速發展，要求不斷開發具有更高信息存儲密度及更快響應速度的材料和器件，因而在納米乃至分子尺寸水平上實現信息的存儲、檢測和處理功能的新型超高密度信息存儲材料成為國際上最受關注的交叉學科研究領域之一。美國前總統克林頓在關于納米科技的報告中，以“(美國)國會圖書館的所有信息都可存儲在一塊方糖大小的芯片中”，對超高密度信息存儲作了形象描述。
化學所在有機超高密度信息存儲材料研究領域取得新進展
1996年起，宋延林博士等基于不同于國外研究思路的材料設計思想，從分子設計的角度出發, 設計合成一系列有特色的有機功能分子體系作為信息存儲介質，先后與中科院物理所高鴻鈞博士、北京大學電子系薛增泉教授等合作, 利用掃描探針實現納米乃至分子尺度上的信息存儲，其信息存儲密度比國外同期報道的材料高1-2個數量級，在國內外引起廣泛關注。前期研究成果曾分別入選“1997年中國十大科技進展”和“2001年中國基礎研究十大科技進展”。
化學所科研人員在此前研究的基礎上，設計合成了具有強電子給體和電子受體、物理化學性質穩定的有機分子N,N-Dimethyl-N’-(3-nitrobenzylidene)-p-phenylenediamine(DMNBPDA)并培養了其單晶；系統研究了DMNBPDA的薄膜生長特性, 并成功地在高定向裂解石墨(HOPG)的表面制備出規整排列的單分子膜，利用AFM和STM觀測到該薄膜的分子圖像；通過在STM針尖和HOPG襯底之間施加電壓脈沖的方法，在DMNBPDA薄膜上實現納米尺寸信息點的寫入，信息點平均直徑達1.1nm, 對應信息存儲密度>1013bits/cm2，并具有信息存儲薄膜表面信息存儲區域具有低阻抗，而非存儲區域是高阻抗，該結果具有良好的重復性和穩定性。他們還用雜化HF/DFT 理論(Hybrid Hartree-Fock/density-functional-theory )計算了DMNBPDA 分子間電荷轉移的可能性，為研究存儲機理提供了理論依據。
當今信息技術的飛速發展，要求不斷開發具有更高信息存儲密度及更快響應速度的材料和器件，因而在納米乃至分子尺寸水平上實現信息的存儲、檢測和處理功能的新型超高密度信息存儲材料成為國際上最受關注的交叉學科研究領域之一。美國前總統克林頓在關于納米科技的報告中，以“(美國)國會圖書館的所有信息都可存儲在一塊方糖大小的芯片中”，對超高密度信息存儲作了形象描述。
化學所在有機超高密度信息存儲材料研究領域取得新進展
1996年起，宋延林博士等基于不同于國外研究思路的材料設計思想，從分子設計的角度出發, 設計合成一系列有特色的有機功能分子體系作為信息存儲介質，先后與中科院物理所高鴻鈞博士、北京大學電子系薛增泉教授等合作, 利用掃描探針實現納米乃至分子尺度上的信息存儲，其信息存儲密度比國外同期報道的材料高1-2個數量級，在國內外引起廣泛關注。前期研究成果曾分別入選“1997年中國十大科技進展”和“2001年中國基礎研究十大科技進展”。
化學所科研人員在此前研究的基礎上，設計合成了具有強電子給體和電子受體、物理化學性質穩定的有機分子N,N-Dimethyl-N’-(3-nitrobenzylidene)-p-phenylenediamine(DMNBPDA)并培養了其單晶；系統研究了DMNBPDA的薄膜生長特性, 并成功地在高定向裂解石墨(HOPG)的表面制備出規整排列的單分子膜，利用AFM和STM觀測到該薄膜的分子圖像；通過在STM針尖和HOPG襯底之間施加電壓脈沖的方法，在DMNBPDA薄膜上實現納米尺寸信息點的寫入，信息點平均直徑達1.1nm, 對應信息存儲密度>1013bits/cm2，并具有信息存儲薄膜表面信息存儲區域具有低阻抗，而非存儲區域是高阻抗，該結果具有良好的重復性和穩定性。他們還用雜化HF/DFT 理論(Hybrid Hartree-Fock/density-functional-theory )計算了DMNBPDA 分子間電荷轉移的可能性，為研究存儲機理提供了理論依據。
