據報道，低溫多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的縮寫，一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應低于攝氏600度，尤其對LTPS區別于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。與a-Si相比，LTPS的電子移動速度要比a-Si快100倍，這個特點可以解釋兩個問題：首先，每個LTPS PANEL都比a-Si PANEL反應速度快；其次，LTPS PANEL外觀尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS與a-Si相比所持有的顯著優點：1、把驅動IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強；2、反應速度更快，外觀尺寸更小，聯結和組件更少；3、面板系統設計更簡單；4、面板的穩定性更強；5、解析度更高，
激光退火：
p-Si與a-Si的顯著區別是LTPS TFT在制造過程中應用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進行了激光照射以使a-Si結晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉化，LTPS必須利用激光的能量把非結晶硅轉化成多晶硅，這個過程叫做激光照射。
電子移動性：
a-Si TFT的電子移動速率低于1 cm2/V.sec，同時驅動IC需要較高的運算速率來驅動電路。這就是為什么a-Si TFT不易將驅動IC集成到基板上。相比之下，p-Si電子的移動速率可以達到100 cm2/V.sec，同時也更容易將驅動IC集成到基板上。結果是，首先由于將驅動IC、PCB和聯結器集成到基板上而降低了生產成本，其次使產品重量更輕、厚度更薄。
解析度：
由于p-Si TFT比傳統的a-Si小，所以解析度可以更高。
穩定性：
p-Si TFT的驅動IC合成在玻璃基板上有兩點好處：首先，與玻璃基板相連接的連接器數量減少，模塊的制造成本降低；其次，模塊的穩定性將得以戲劇性的升高。
激光退火：
p-Si與a-Si的顯著區別是LTPS TFT在制造過程中應用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進行了激光照射以使a-Si結晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉化，LTPS必須利用激光的能量把非結晶硅轉化成多晶硅，這個過程叫做激光照射。
電子移動性：
a-Si TFT的電子移動速率低于1 cm2/V.sec，同時驅動IC需要較高的運算速率來驅動電路。這就是為什么a-Si TFT不易將驅動IC集成到基板上。相比之下，p-Si電子的移動速率可以達到100 cm2/V.sec，同時也更容易將驅動IC集成到基板上。結果是，首先由于將驅動IC、PCB和聯結器集成到基板上而降低了生產成本，其次使產品重量更輕、厚度更薄。
解析度：
由于p-Si TFT比傳統的a-Si小，所以解析度可以更高。
穩定性：
p-Si TFT的驅動IC合成在玻璃基板上有兩點好處：首先，與玻璃基板相連接的連接器數量減少，模塊的制造成本降低；其次，模塊的穩定性將得以戲劇性的升高。
