多晶硅壟斷競爭轉向充分競爭

從壟斷競爭到充分競爭：高純多晶硅最初主要用于半導體領域，自2004年以來受晶體硅太陽能電池需求拉動而出現供不應求，致使多晶硅價格持續上漲并帶來暴利，暴利的誘惑下產業壁壘被攻克(資金+技術)，大量的新增產能不斷涌現。當越來越多的廠商掌握了生產技術，行業出現超額利潤時供應商能夠迅速擴產，多晶硅行業從之前的寡頭壟斷格局，轉向充分競爭格局。自2008年4季度以來，多晶硅價格步入下跌通道。

　　2009年供需逆轉，2010年行業洗牌：大部分08年新增產能投產于08年底，這些產能將沖擊2009年多晶硅市場。自2008年4季度以來，由于金融危機影響了下游光伏需求，許多曾出臺龐大擴產計劃的多晶硅制造商必將推遲或取消其部分后期項目，而目前已經在建產能將陸續于2009-2010年投產。通過分析全球的多晶硅項目供給及需求狀況，我們判斷2009年全球多晶硅供需逆轉，而隨著在建項目于2010年再度沖擊市場，2010年將發生無情的洗牌。

　　新技術路線的沖擊不可忽視：以改良西門子法為代表的傳統工藝是當前高純多晶硅的主要生產方法，占據著80%的份額。而以硅烷法、冶金法為代表的新興技術正在逐步的成熟中，這些新方法直接瞄準太陽能級的多晶硅，相對傳統工藝而言成本大幅降低。新技術的突破及擴產，將給現有行業格局帶來影響。需要密切關注冶金法的提純純度，若能量產6N級，則足以對行業形成較大沖擊。