氮化鎵（GaN）是二十世紀九十年代以來常用于發光二極管的二元III / V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二極管成為可能的基板，而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性，因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外，GaN為THz器件提供了有前景的特性。

2. 自支撐氮化鎵晶片特性 晶格參數 a=0.3189nm; c=0.5185nm 帶隙 3.39eV 密度 6.15g/cm3 熱膨脹系數 a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K 折射率 2.33-2.7 介電常數 9.5 熱導率 1.3W/(cm*k) 擊穿電場 3.3MV/cm 飽和漂移速度 2.5E7cm/s 電子遷移率 1300cm2/(V*s)   注：從2023年8月1日起，出口該產品需要出口許可證；國內供應不受影響產品描述 1. 氮化鎵單晶片規格   2. 自支撐氮化鎵晶片特性 晶格參數 a=0.3189nm; c=0.5185nm 帶隙 3.39eV 密度 6.15g/cm3 熱膨脹系數 a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K 折射率 2.33-2.7 介電常數 9.5 熱導率 1.3W/(cm*k) 擊穿電場 3.3MV/cm 飽和漂移速度 2.5E7cm/s 電子遷移率 1300cm2/(V*s)   注：從2023年8月1日起，出口該產品需要出口許可證；國內供應不受影響