GIGAfab M等離子系統

GIGAfab M等離子系統可用于具有更嚴苛要求和特殊等離子源的應用中，適用于半導體行業等多個領域。基板由手工裝載到工藝室，從單個**到 300 mm晶圓（也包含薄膜減薄）到少數幾片更小的晶圓。均勻性高達 5% 的平面源用于去除光刻膠（通過 300 mm晶圓測量）。或者，在遠程操作中，徑向源可用于蝕刻硅并減少薄晶圓或組件上的應力。

等離子系統 GIGAfab M的優勢及相關設備：

配備帶拉出式工作臺的工藝室

晶圓支架安裝在內部，可根據應用進行加熱或冷卻

或者，帶有冷卻回路和冷卻單元的系統，溫度范圍為 20 °C 至 95 °C（用于蝕刻硅或去除 SU-8）或高達 300 °C 的電加熱系統，可選空氣冷卻配置以實現穩定的工藝范圍在 60 °C 和 300 °C 之間

系統控制基于帶觸摸屏的PC系統，使工藝過程可以在手動和自動多步操作中運行。該標準系統包含一個用于穩定過程壓力的控制閥，以及兩個帶自動流量控制器 (MFC) 的氣體管道；另外也可選配額外兩個氣體管道。