氮化鎵GaN

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GaN氮化鎵晶片常用于發(fā)光二極管的二元Ⅲ/V直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料，具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板，而不使用非線性光學(xué)倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他Ⅲ族氮化物一樣),使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性，因此軍事和太空應(yīng)用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外，GaN為THz器件提供了有前景的特性。

• 尺寸：2-6寸

• 晶向：C平面（0001）朝向M軸的偏離角0.35°±0.15°

• 表面：拋光

• 厚度(um)：350±25