技術成果

小于le14cm-3的低本底濃度控制技術

小于3%的厚度均勻性控制技術

小于6%的濃度均勻性控制技術

低的位錯控制技術，BPD轉化效率達99%以上

低的表面缺陷控制技術，表面缺陷密度小于0.2個/cm2

產品概述

利用碳化硅外延設備在自產碳化硅襯底上生長一層高質量的碳化硅單晶薄膜，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片經過晶圓制造、封裝檢測等環節，可制成碳化硅功率器件。

下游產品與應用

碳化硅外延片經過晶圓制造、封裝檢測等環節，制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件，適用于高溫、高壓、大電流等工作環境，廣泛應用于新能源汽車、充電樁、光伏風電、儲能、軌道交通、智能電網、工業電源、工業驅動、白色家電等領域。