等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是將低氣壓放電形成的等離子體應用于化學氣相沉積的一項具有發展前景的技術。可在機械材料、反應堆材料、宇航材料、光學材料、醫用材料、化工設備用材料表明進行沉積出所期望的阻隔、光學、絕緣、硬化等各類功能行薄膜，廣泛應用于食品、藥品包裝、半導體、平板顯示、太陽能電池等產業發展。聚焦真空PECVD（等離子體化學相沉積)技術，主要專注于高阻隔膜PECVD的設備和工藝研發，現已開發出兩種機型，分別適用于消費類電子產品防護和高端食品藥品包裝領域。設備鍍膜速度快，高速鍍膜時可達**300nm·m/min;并且處理面積廣，可向寬幅材鍍膜擴張；工作壓力達到Pa級，擁有低工作壓力、低污染的優良性能。可對SIOx、SIO2等硅系、氧化物薄膜、DLC等進行鍍膜。并且使用HMDSO六甲基二硅氧烷等作為原料，安全性高！