產品說明書

本品以異丙醇為溶劑，含有Ges單層和多層厚片。合成了純度為99.9995%的Ges晶體，并將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級化學品)中。由于起始材料(合成Ges晶體)是高度結晶的，超聲波處理以分層Ges層的產率很高。鍺硒晶體單層和多層懸浮于異丙醇溶液中。Ge se納米材料的結晶性已通過電子能譜(EDAX)得到證實。拉曼光譜(半高寬<5cm-')和掃描電子顯微鏡(SEM)測量。 沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um，厚度從1L到10s層。

解決方案類型:默認情況下，2DsemiconductorsUSA將提供Ges懸浮異丙醇片，因為其分散性好、穩定性和高性能。然而，如果您的研究需要其他溶劑，請聯系我們以了解更多詳情并安排產品交付。

溶液濃度:為了降低運輸成本，簡化海關協議/邊境檢查流程，我們運輸過飽和的2D溶液(根據2D層的類型，約為~80-120 mg/L)。然而，可以通過簡單且經濟高效的自旋鑄造工藝稀釋過飽和溶液，以產生250-500mL 的溶液，在所需的襯底上沉積2D層。

產品技術參數:

• 產品規格：

• C0.25mg/ml濃度 2ml IPA

  C0.25mg/ml濃度20ml IPA

產品技術參數:

進口硫化鍺納米片分散液GeS照片:

XRD:                                                                     SEM:

Raman:                                                                從GeS晶體收集的光致發光數據: