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一、設備結構
二、設備概述
碳化硅晶體生長爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長大尺寸、高質量SiC 單晶。
三、技術優勢
1、采用雙線圈設計，基于多物理場仿真模擬，分別優化兩個線圈的間距、匝數、線圈位置等參數實現籽晶與料源溫場的獨立控制，獲得大尺寸高質量碳化硅生長的溫場。
2、開展坩堝獨立旋轉機構設計研究，創新型的在坩堝旋轉結構中引入獨立支撐設計，使坩堝在生長過程中獨立于保溫旋轉，降低保溫對坩堝溫場的影響。解決碳化硅單晶生長中因爐次之間保溫損耗及變形導致溫場不可控的難題，提升晶體生長成品率。
3、結合數值模擬和理論計算，優化坩堝和溫度梯度結構，揭示晶體結晶和動力學過程，突破6英寸SiC 晶體的制備工藝，有力解決SiC 晶體缺陷富集的難點問題。
四、設備參數
| 石英反射器 | 直徑440mmx900mm | 電源頻率，HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C （氬氣中） | 相數 | 3 | |
| 工作氣體 | 氬氣，氮氣 | 壓縮氣體，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 發電機功率 kw | 70kw | 晶體生長天數，天 | 7 |
| 發電機功率頻率 kHz | 12kHz | 氮氣消耗量，m3/爐 | ≤0.25 |
| 自動化參數控制系統 | 電極接法 | △ | |
| 冷卻系統 | 50kW冷卻裝置（閉合電路） | 設備外形尺寸（長x寬x高）mm | 920x920x2790 |
| 電源電壓，V | 380±19 | **電流，A | 90 |
| 輸出電壓，V | 500-550 |
注：可根據客戶要求，進行定制服務
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