主成分含量（%）：
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1．石英坩堝可在1450度以下使用，分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發展大規模集成電路必不可少的基礎材料。當今，世界半導體工業發達國家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝。他具有高純度、耐溫性強、尺寸大精度高、保溫性好、節約能源、質量穩定等優點。
2、不能和HF接觸，高溫時，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作用。
3．石英坩堝適于用K2S2O7，KHSO4作熔劑熔融樣品和用Na2S207(先在212度烘干)作熔劑處理樣品。
4．石英質脆，易破，使用時要注意。
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