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CMOS X射線相機由單個半導體硅片制成，可直接探測可見光或配合閃爍晶體用于探測X光和其它高能輻射。針對不同應用，可配備不同厚度Gadox或針狀CsI閃爍體，是醫學診斷，工業檢測，科學成像的理想解決方案，標準能量測試范圍為不超過220KV，根據客戶要求，能量可到400KV，采用Camera Link接口，全分辨率下**可到65幀/秒
| 有效面積(mm) | 114.9x64.6 |
| 分辨率 | 1536x864 |
| 像素尺寸（μm） | 74.8/149.6/299.2；依賴于不同的binning |
| MTF@6lp/mm | 大于20%；(150μm HR CsI without binning） |
| DQE | ~0.7 at 0.5lp/mm (28 kV， W / Al) |
| Binning | 1 x 1， 1 x 2， 2 x 2， 1 x 4， 2 x 4， 4 x 4 |
| 工作模式 | 提供低噪聲及高動態范圍兩種 |
| 動態范圍 | 6400-2400；依賴于不同的工作模式及binning |
| 幀速 | 32-191；依賴于不同的binning及數據接口 |
| ADC分辨率 | 14位 |
| 計算機接口 | Camera Link或千兆以太網 |
| 外形尺寸(mm) | 241 x 150 x 42 |
| 重量(kg) | 1.9 |
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