特點：

• 次納米的高靈敏度

  國際先進的采樣方法、穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.5nm。

• 3秒的快速測量

  國際水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在3秒內快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。

• 簡單方便的儀器操作

  用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。

應用：

• EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。
• EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
• EM13LD可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。

技術指標:

• 穩定性的半導體激光光源、先進的采樣方法，保證了穩定性和準確度
• 高精度的光學自準直系統，保證了快速、高精度的樣品方位對準
• 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩定測量
• 分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
• 一體化集成式的儀器結構設計，使得系統操作簡單、整體穩定性提高，并節省空間
• 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用

可選配件：

• NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
• NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
• VP01真空吸附泵
• VP02真空吸附泵
• 樣品池